[发明专利]触发可控硅控制单元和控制方法

权利要求书

1.一种触发可控硅控制单元，其特征在于：它包括处理器(1)、可控硅激光发射装置(2)、可控硅激光接收装置(3)和可控硅参数采集接口(4)，其中，处理器(1)的可控硅触发信号输出端连接可控硅激光发射装置(2)的信号输入端，处理器(1)的可控硅触发状态信号输入端连接可控硅激光接收装置(3)的信号输出端，处理器(1)的可控硅基本参数数据输入端连接可控硅参数采集接口(4)的一端；

所述可控硅激光发射装置(2)的激光信号输出端连接可控硅控制单元(6)的可控硅激光触发信号输入端，可控硅数据采集装置(5)的可控硅基本参数数据输出端连接可控硅参数采集接口(4)的另一端；

所述处理器(1)用于通过可控硅数据采集装置(5)采集可控硅正反重复峰值电压参数、可控硅回路阻抗和可控硅短路电流；

所述处理器(1)还用于通过可控硅激光发射装置(2)向可控硅控制单元(6)发送可控硅激光触发信号；

所述处理器(1)还用于通过可控硅激光接收装置(3)接收可控硅控制单元(6)反馈的可控硅是否触发成功的反馈信息。

2.根据权利要求1所述的触发可控硅控制单元，其特征在于：所述可控硅激光发射装置(2)包括电阻R1～电阻R6、钽电容C1、激光发射二极管L2、MOS管Q1，其中，钽电容C1的正极、电阻R1的一端、电阻R2的一端、电阻R3的一端和电阻R4的一端均连接电源，钽电容C1的负极接地GND，电阻R1的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的另一端和电阻R4的另一端连接激光发射二极管L2的正极，激光发射二极管L2的负极连接MOS管Q1的源极S，MOS管Q1的漏极D接地GND，处理器(1)的可控硅触发信号输出端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接MOS管Q1的栅极G，电阻R6的一端连接MOS管Q1的栅极G，电阻R6的另一端连接MOS管Q1的漏极D，激光发射二极管L2发射的激光信号进入可控硅控制单元(6)可控硅激光触发信号输入端。

3.根据权利要求1所述的触发可控硅控制单元，其特征在于：所述可控硅激光接收装置(3)包括电阻R7～电阻R9，激光接收二极管L1和MOS管Q2，其中，电阻R7的一端连接电源，电阻R7的另一端连接激光接收二极管L1的负极，激光接收二极管L1的正极接地GND，电阻R8的一端连接激光接收二极管L1的负极，电阻R8的另一端连接MOS管Q2的栅极G，电阻R9的一端连接电源，电阻R9的另一端连接MOS管Q2的漏极D，MOS管Q2的源极S连接激光接收二极管L1的正极，MOS管Q2的漏极D连接处理器(1)的可控硅触发状态信号输入端，可控硅控制单元(6)的可控硅是否触发成功的反馈信息光信号输出端通过激光转接头连接激光接收二极管L1。

4.根据权利要求1所述的触发可控硅控制单元，其特征在于：所述可控硅激光发射装置(2)发射的可控硅激光触发信号的激光频率为10kHZ，占空比为0.05。

5.根据权利要求1所述的触发可控硅控制单元，其特征在于：所述处理器(1)的显示信号输出端还连接有显示器(7)。

6.根据权利要求1所述的触发可控硅控制单元，其特征在于：所述可控硅参数采集接口(4)为通信串口。

7.一种权利要求1所述触发可控硅控制单元的控制方法，其特征在于，它包括如下步骤：

步骤1：处理器(1)通过可控硅激光发射装置(2)向可控硅控制单元(6)发射稳频的可控硅激光触发信号；

步骤2：可控硅控制单元(6)将接收到的可控硅激光触发信号进行放大以及逻辑处理然后触发可控硅；

步骤3：可控硅控制单元(6)对可控硅是否触发成功进行判断，并将可控硅是否触发成功的反馈信息反馈给处理器(1)；

步骤4：当处理器(1)得到可控硅已经成功触发的反馈后，处理器(1)通过可控硅参数采集接口(4)采集可控硅的可控硅正反重复峰值电压参数、可控硅回路阻抗和可控硅短路电流。

8.根据权利要求7所述的触发可控硅控制单元的控制方法，其特征在于：所述步骤4后还包括步骤5：处理器(1)将采集到的可控硅正反重复峰值电压参数、可控硅回路阻抗和可控硅短路电流通过显示器(7)进行显示。