[发明专利]微影方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种微影方法。

背景技术

在集成电路(IC)制造中，图案化光致抗蚀剂层用来将具有细小特征尺寸的设计图案从光掩模转移至晶片。随着图案的分辨率增加，人们期望能够缩小光致抗蚀剂图案的临界尺寸以创造更小的特征尺寸。然而，关于通过后显影处理可缩小多少光致抗蚀剂图案的临界尺寸，目前仍存在限制。

因此，有需要提供一种后显影处理材料及微影方法以解决上述问题。

发明内容

本公开根据一些实施例提供一种微影方法。该微影方法包括：形成图案化光致抗蚀剂于材料层上；提供第一接合材料至该图案化光致抗蚀剂的侧面；实行一处理于该第一接合材料上，以将该第一接合材料接合至该图案化光致抗蚀剂的侧面，其中该处理创造一接合位置于该第一接合材料上，且该接合位置配置以接合至一第二接合材料；提供该第二接合材料至该第一接合材料的一侧面；以及通过选择性处理该材料层被该图案化光致抗蚀剂、该第一接合材料及该第二接合材料所暴露的一部分，以图案化该材料层。

本公开根据一些实施例提供一种微影方法。该微影方法包括：形成图案化光致抗蚀剂于材料层上，其中该图案化光致抗蚀剂包含酸；提供接合材料至该图案化光致抗蚀剂的表面；以及实行烘烤工艺于该接合材料上，其中：该烘烤工艺导致该接合材料接合至该图案化光致抗蚀剂的表面，从而创造一结构于该图案化光致抗蚀剂上方；该烘烤工艺导致该酸扩散至该结构的表面，且该烘烤工艺导致该酸与该接合材料反应以创造一接合位置于该结构上；该接合位置配置以接合至该接合材料。

本公开根据一些实施例提供一种微影方法。该微影方法包括：形成一图案化光致抗蚀剂于材料层上；实行全面性曝光工艺于该图案化光致抗蚀剂上以产生酸；提供接合材料至该图案化光致抗蚀剂的表面；以及实行烘烤工艺于该接合材料上，其中：该烘烤工艺导致该接合材料接合至该图案化光致抗蚀剂的表面，从而创造一结构于该图案化光致抗蚀剂上方；该烘烤工艺导致该酸扩散至该结构的表面，且该烘烤工艺导致该酸与该接合材料反应以创造一接合位置于该结构上；该接合位置配置以接合至该接合材料。

附图说明

以下将配合所附图式详述本公开的实施例，应注意的是，依照工业上的标准实施，以下图示并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本公开的特征。而在说明书及图式中，除了特别说明外，同样或类似的元件将以类似的符号表示。

图1-图9为根据本公开一些实施例，例示性半导体结构在各个制造阶段的剖面图。

图10及图11为根据本公开一些实施例，用于光微影工艺的接合材料的化学结构的示意图。

图12为相应于图1-图6的增加图案化光致抗蚀剂特征的厚度的方法的流程图。

图13为相应于图7-图8的增加图案化光致抗蚀剂特征的厚度的方法的流程图。

图14为相应于图9的增加图案化光致抗蚀剂特征的厚度的方法的流程图。

附图标记说明：

半导体结构100

半导体基底110

材料层111

下层112

中间层114

光致抗蚀剂层116

曝光特征116a

未曝光区116b

材料层111

下层112

中间层114

光致抗蚀剂层116

曝光特征116a

未曝光区116b

距离310

第一接合材料410

接合材料及热酸产生剂层510

第二接合材料512

距离514

接合材料及热酸产生剂层610

距离612

接合材料710

接合材料层810

距离814

全面性曝光工艺910

距离912

接枝单体(R_g)1010

酸可切换单体(R_a)1012

化学主链1014

有机可溶单体(R_s)1016

步骤1210

步骤1212

步骤1214

步骤1216

步骤1218

步骤1220

步骤1222

步骤1224

步骤1226

步骤1228