[发明专利]一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路有效

专利信息
申请号: 201611029545.0 申请日: 2016-11-14
公开(公告)号: CN106712765B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 韩旭鹏;王亮;岳素格;孙永姝;李东强;王丹;吕曼 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 徐辉
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 cmos 工艺 pecl 发送 接口 电路
【权利要求书】:

1.一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路,其特征在于:包括偏置电路(200)、负输出电平生成电路(201)和正输出电平生成电路(202);

所述偏置电路(200)为负输出电平生成电路(201)和正输出电平生成电路(202)提供偏置电流;

负输出电平生成电路(201)包括第一MOS开关管(26)、第一开关电流漏、第一常通电流漏,第一开关电流漏输出16mA的电流;第一MOS开关管(26)基于PECL发送器的正输入信号(VIN+)控制第一开关电流漏输出的电流是否流过PECL发送器的负输出端负载电阻;第一常通电流漏输出6mA的电流至负输出端负载电阻;

正输出电平生成电路包括第二MOS开关管(27)、第二开关电流漏、第二常通电流漏,第二开关电流漏输出16mA的电流;第二MOS开关管(27)基于PECL发送器的负输入信号(VIN-)控制第二开关电流漏输出的电流是否流过PECL发送器的正输出端负载电阻;第二常通电流漏输出6mA的电流至正输出端负载电阻;所述偏置电路包括PMOS管(21),PMOS管(21)的源极连接PECL发送器的电源端;PMOS管(21)的栅极与漏极相连,并连接偏置电流源;第一开关电流漏包括第一受控MOS管(22),第一常通电流漏包括第一常通MOS管(23),第二开关电流漏包括第二受控MOS管(24),第二常通电流漏包括第二常通MOS管(25);

第一MOS开关管(26)的栅极连接PECL发送器的正输入信号(VIN+),漏极连接PECL发送器的负输出端负载电阻,源极连接第一受控MOS管(22)的漏极;第一受控MOS管(22)的栅极连接PMOS管(21)的栅极、第一常通MOS管(23)的栅极、第二受控MOS管(24)的栅极以及第二常通MOS管(25)的栅极;第一受控MOS管(22)源极连接PECL发送器的电源;第一常通MOS管(23)的源极连接PECL发送器的电源,漏极连接PECL发送器的负输出端负载电阻;

第二MOS开关管(27)的栅极连接PECL发送器的正输入信号(VIN+),漏极连接PECL发送器的负输出端负载电阻,源极连接第二受控MOS管(24)的漏极;第二受控MOS管(24)源极连接PECL发送器的电源;第二常通MOS管(25)的源极连接PECL发送器的电源,漏极连接PECL发送器的负输出端负载电阻;所述偏置电流源从偏置电路抽取2mA电流,PMOS管(21)、第一受控MOS管(22)、第一常通MOS管(23)、第二受控MOS管(24)、第二常通MOS管(25)的宽长比之比为1:8:3:8:3。

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