[发明专利]靶材组件的制造方法在审
申请号: | 201611016692.4 | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN108067723A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;曹欢欢 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | B23K20/14 | 分类号: | B23K20/14;B23K20/24;B23K103/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背板 连接层 靶材组件 扩散 焊接 初始组件 结合率 半导体溅射靶材 制造 装配 | ||
1.一种靶材组件的制造方法,其特征在于,包括:
提供靶坯、连接层和背板,所述靶坯与所述连接层的材料间扩散能力大于所述靶坯与所述背板的材料间扩散能力,且所述背板与所述连接层的材料间扩散能力大于所述靶坯与所述背板的材料间扩散能力;
将所述靶坯、连接层和背板进行装配形成初始组件,在所述初始组件中,所述连接层位于所述靶坯和所述背板之间且分别与所述靶坯和背板相接触;
将初始组件进行扩散焊接,形成靶材组件。
2.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述靶坯为含铝靶坯或含钽靶坯。
3.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述靶坯的材料为铝或铝铜合金。
4.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述连接层的材料为钛。
5.如权利要求4所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述连接层的材料为TA2工业钛。
6.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述连接层的厚度为2毫米至3毫米。
7.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述背板的材料为铜、铝或钛。
8.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述扩散焊接的步骤包括:包套焊接、脱气、加热和热等静压工艺。
9.如权利要求8所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述加热步骤中,工艺温度为300℃至400℃,工艺时间为2小时至3小时。
10.如权利要求8所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述热等静压工艺中,工艺温度为400℃至600℃,环境压强为100MPa至150MPa,在所述工艺温度和环境压强下的工艺时间为3小时至5小时。
11.如权利要求8所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述脱气步骤包括:将所述初始组件置于包套后,对所述包套进行抽真空以形成真空包套,抽真空后所述真空包套内的真空度至少为2E-3Pa,且在所述热等静压工艺过程中使所述真空包套保持密封状态。
12.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述靶坯的待焊接面为第一焊接面,所述背板的待焊接面为第二焊接面,与所述第一焊接面相接触的连接层表面为第三焊接面,与所述第二焊接面相接触的连接层表面为第四焊接面;将所述靶坯、连接层和背板进行装配形成初始组件之前,所述制造方法还包括:对所述第一焊接面、第二焊接面、第三焊接面和第四焊接面进行抛光工艺;
对抛光工艺后的所述靶坯、背板和连接层进行超声波清洗工艺;
超声波清洗工艺后,真空干燥所述靶坯、背板和连接层。
13.如权利要求12所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,抛光工艺后,所述第一焊接面、第二焊接面、第三焊接面和第四焊接面的表面粗糙度为3微米至3.4微米。
14.如权利要求12所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述超声波清洗工艺所采用的清洗液为异丙醇溶液或酒精,所述超声波清洗工艺的工艺时间为5分钟至10分钟。
15.如权利要求12所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述真空干燥的工艺时间为30分钟至60分钟。
16.如权利要求12所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,对所述连接层的第三焊接面和第四焊接面进行抛光工艺后,对抛光工艺后的所述连接层进行超声波清洗工艺之前,所述制造方法还包括:对所述连接层进行预清洗处理。
17.如权利要求16所述的靶材组件的制造方法,其特征在于,所述预清洗处理所采用的清洗溶液为氢氟酸与硝酸的混合溶液,所述预清洗处理的工艺时间为10分钟至20分钟。
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