[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

一基板，为第一导电型，该基板具有一正面和一与该正面相对的背面；

一射极层，为第二导电型，该射极层位于该基板内靠近该正面处；

一背电场层，为第一导电型，该背电场层位于该基板内靠近该背面处；

一抗反射层，位于该正面处；

一氧化铝层，位于该背面处；

一钝化层，包括依序排列的一第一氮化硅层、一第二氮化硅层及一第三氮化硅层，其中：

该第一氮化硅层的氢含量/氮含量的比值小于该第二氮化硅层的氢含量/氮含量的比值；以及

该第一氮化硅层接触该氧化铝层，且该第一氮化硅层及该第三氮化硅层的氮含量分别大于该第二氮化硅层的氮含量；

一正面电极，穿过该抗反射层，并接触该射极层；以及

一背面电极，穿过该钝化层及该氧化铝层，并接触该背电场层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第一氮化硅层的氢含量小于该第二氮化硅层的氢含量。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第三氮化硅层的氢含量也小于该第二氮化硅层的氢含量。

4.根据权利要求1或3所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第一氮化硅层的折射率小于该第二氮化硅层的折射率。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第三氮化硅层的折射率也小于该第二氮化硅层的折射率。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第一氮化硅层及第三氮化硅层的折射率均小于2，且该第二氮化硅层的折射率大于2.4。

7.根据权利要求1或3所述的太阳能电池，其特征在于，其中：

该第二氮化硅层包括第一及第二氮化硅薄膜；

该钝化层还包括一缓冲层，该缓冲层包括第三氮化硅薄膜、第四氮化硅薄膜及第五氮化硅薄膜；以及

该第一氮化硅层、该第三氮化硅薄膜、该第一氮化硅薄膜、该第四氮化硅薄膜、该第二氮化硅薄膜、该第五氮化硅薄膜及该第三氮化硅层依序排列。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第三氮化硅薄膜、第四氮化硅薄膜及第五氮化硅薄膜的折射率小于该第一氮化硅薄膜及第二氮化硅薄膜的折射率。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第一氮化硅层及第三氮化硅层的折射率小于该第三氮化硅薄膜、第四氮化硅薄膜及第五氮化硅薄膜的折射率。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第一氮化硅层及第三氮化硅层的折射率均小于1.9，该第三氮化硅薄膜、第四氮化硅薄膜及第五氮化硅薄膜的折射率介于1.9与2.4之间，且该第一氮化硅薄膜及第二氮化硅薄膜的折射率大于2.4。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，其中该钝化层还包括一第四氮化硅层，该第四氮化硅层配置于该第三氮化硅层的一外侧，且该第四氮化硅层的硅含量大于该第一氮化硅层、第二氮化硅层及第三氮化硅层的硅含量。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第四氮化硅层的折射率大于2.4。

13.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，其中该钝化层还包括一硅氮氧化物层，该硅氮氧化物层配置于该第四氮化硅层的一外侧。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，其中该钝化层还包括一硅氧化物层，该硅氧化物层配置于该氧化铝层与该基板的背面之间。