[发明专利]一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明晶硅太阳电池技术领域，尤其涉及一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构及其制作方法。

背景技术

太阳能光伏产业的迅速发展，需要不断降低生产成本，提高晶硅太阳电池的转换效率，提高发电量。

晶体硅太阳电池是将太阳能转化成电能的半导体器件，器件的大小和正面栅线遮光面积直接决定最终的发电功率，为了获得更高的电池转换效率，需要印刷更细的副栅线，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳电池转换效率。

在晶硅太阳电池的生产中，正面电极的图形根据工艺水平，需要不断的优化改进，降低遮光面积，提高转换效率，因此，有必要对晶硅太阳电池的正面电极网版进行改进。

发明内容

本发明提出了一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构及其制作方法，可降低晶体硅太阳电池正面栅线遮光面积，提高电池的转换效率。

本发明提供如下技术方案：

一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构，设置在晶硅太阳电池的正面，所述电极结构包括第一层网版和第二层网版，其中，所述第一层网版包括第一网框，所述第一网框内设置第一网布，所述第一网布上设置若干根相互平行设置的主栅线，所述主栅线上设置第一Ｍａｒｋ点，所述主栅线与所述第一网布的钢丝形成第一夹角，所述第一夹角为20°至30°；所述第二层网版包括第二网框，所述第二网框内设置第二网布，所述第二网布上设置若干根相互平行设置的副栅线，所述副栅线上设置第二Ｍａｒｋ点，且所述副栅线之间间隔且垂直设置防ＥＬ断栅，所述副栅线与所述第二网布的钢丝形成第二夹角，所述第二夹角为90°，所述第二Ｍａｒｋ点与所述第一Ｍａｒｋ点位置对应。

优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述第一Ｍａｒｋ点数量为4个、6个或8个，直径在0．2至1．2ｍｍ。

优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述主栅线的宽度为0．1至1．5ｍｍ，所述主栅线的长度为155至165ｍｍ，所述主栅线的数量为3至20条。

优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述第二Ｍａｒｋ点数量为4个、6个或8个，直径在0．2至1．2ｍｍ。

优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述防ＥＬ断栅在两根主栅线之间，数量为2至15排。

优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述副栅线的宽度为10至40ｕｍ，所述副栅线的长度为155至165ｍｍ，所述副栅线的数量为90至180条。

优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述第二网布为无网结网布。

优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述晶硅太阳电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200ｍｍ。

优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述晶硅太阳电池的基材为单晶硅或多晶硅。

本发明还公开了一种如上所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构的制作方法，包括如下步骤：

步骤1，所述第一网布的钢丝采用与所述主栅线20°至30°的夹角方向进行排布；

步骤2，所述第二网布的钢丝采用与所述副栅线90°的夹角方向进行排布；

步骤3，所述第一层网版与所述第二层网版通过所述第一Ｍａｒｋ点与第二Ｍａｒｋ点对准。

采用上述方案，由于所述第一层网版只印刷所述主栅线，对所述第一网布透墨能力要求不高，因此可以选择常规的成本较低的网布进行制作，从而降低生产成本；所述第二网布采用无网结网布，从而提高第二网布的透墨能力，这样制作出的网版可以满足更细线的印刷，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳电池转换效率。所述第一层网版与所述第二层网版通过所述第一Ｍａｒｋ点与第二Ｍａｒｋ点对准，可以避免套印产生的偏移现象，提高晶硅太阳电池制作的合格率。

附图说明

图1为本发明实施例的二次印刷第一层网版示意图；

图2为本发明实施例的二次印刷第一层网版局部放大图；

图3为本发明实施例的二次印刷第二层网版示意图；

图4为本发明实施例的二次印刷第二层网版局部放大图；

图中：100－第一层网版、101-第一网框、102－第一网布、103－主栅线、104－第一Ｍａｒｋ点、201－第一夹角、300－第二层网版、301－第二网框、302－第二网布、303－副栅线、304－第二Ｍａｒｋ点、305－防ＥＬ断栅、401－第二夹角

具体实施方式