[发明专利]电装置及用于制造电装置的方法以及用于车辆的控制装置有效

专利信息
申请号: 201610944323.5 申请日: 2016-11-02
公开(公告)号: CN107068738B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: W·V·埃姆登 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: H01L29/40 分类号: H01L29/40;H01L29/78;G01R19/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置 用于 制造 方法 以及 车辆 控制
【权利要求书】:

1.一种电装置,所述电装置包括半导体结构元件(10)和测量电路(28),其中,所述半导体结构元件(10)具有半导体衬底、至少一个源极元件(12)、至少一个漏极元件(14)、至少一个栅极元件(18)及至少一个场板(20),其特征在于:所述至少一个场板(20)与所述至少一个源极元件(12)电绝缘并且能够从所述半导体结构元件(10)的外部通过场板端子(26)电接通,其中,用于测量所述漏极元件(14)与所述场板(20)之间的电容的所述测量电路(28)连接在所述至少一个场板(20)与所述场板端子(26)之间。

2.根据权利要求1所述的电装置,其中,所述半导体结构元件(10)包括多个分别并联连接的源极元件(12)、漏极元件(14)及栅极元件(18)以及多个场板(20)。

3.根据权利要求2所述的电装置,其中,所述场板(20)中的至少一些与所述场板端子(26)电连接,而其余的场板(20)与所述源极元件(12)电连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电装置,其中,所述半导体结构元件(10)具有垂直结构。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的电装置,其中,所述半导体结构元件(10)具有沟槽结构,该沟槽结构具有至少一个沟槽(16),在所述至少一个沟槽中布置有至少一个栅极元件(18)及至少一个场板(20)。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的电装置,其中,用于测量所述漏极元件(14)与所述场板(20)之间的电容的所述测量电路(28)与所述半导体结构元件(10)布置在共同的芯片上。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的电装置,其中,所述测量电路(28)包括用于所述场板端子(26)的电激励的有源电路。

8.一种用于测量从半导体结构元件(10)的源极元件到漏极元件的电流的方法,该方法具有以下步骤:

a.通过将电压施加到与场板(20)相连接的场板端子(26)上来激励半导体结构元件(10)的所述场板(20),

b.求取所述半导体结构元件(10)的所述场板与漏极元件(14)之间的取决于时间的电容Cds

c.借助所求取的电容Cds求取在所述半导体结构元件的所述源极元件与漏极元件之间流动的电流Ids

9.根据权利要求8所述的方法,其中,为了确定所述电流Ids将所求取的电容Cds转换为成比例的电压。

10.一种用于车辆的控制装置,该控制装置包括至少一个根据权利要求1至7中任一项所述的电装置。

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