[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法。将垂直形成的第1分割预定线和第2分割预定线中的至少第2分割预定线以非连续的方式形成的晶片分割成一个个的器件芯片，晶片的加工方法具有如下步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着第1分割预定线在晶片的内部形成第1方向改质层；以及第2方向改质层形成步骤，沿着第2分割预定线在晶片的内部形成第2方向改质层。第2方向改质层形成步骤包含T字路加工步骤，在与形成有第1方向改质层的第1分割预定线呈T字路相交的第2分割预定线的内部形成第2方向改质层。在T字路加工步骤中进行控制以使得随着激光束的聚光点接近T字路的交点而使该聚光点向晶片的背面侧逐渐上升，使圆锥形状的激光束不超过先形成的第1方向改质层。

技术领域

本发明涉及硅晶片、蓝宝石晶片等晶片的加工方法。

背景技术

硅晶片、蓝宝石晶片等晶片中，IC、LSI、LED等多个器件通过分割预定线划分而形成在正面上，该晶片被加工装置分割成一个个的器件芯片，分割出的器件芯片广泛用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。

晶片的分割广泛采用划片方法，该划片方法使用被称为划片器的切削装置。在划片方法中，使切削刀具按照30000rpm左右的高速旋转并且切入晶片而切削晶片，将晶片分割成一个个的器件芯片，关于该切削刀具，利用金属或树脂加固金刚石等磨粒而使厚度为30μm左右。

另一方面，近年来，开发出并实用化使用激光束而将晶片分割成一个个的器件芯片的方法。作为使用激光束而将晶片分割成一个个的器件芯片的方法，公知有以下说明的第1和第2加工方法。

第1加工方法是如下的方法：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在与分割预定线对应的晶片的内部，而沿着分割预定线照射激光束从而在晶片内部形成改质层，然后通过分割装置对晶片施加外力而以改质层为分割起点将晶片分割成一个个的器件芯片(例如，参照日本特许第3408805号)。

第2加工方法是如下的方法：向与分割预定线对应的区域照射对于晶片具有吸收性的波长(例如355nm)的激光束，通过烧蚀加工而形成加工槽，然后施加外力而以加工槽为分割起点将晶片分割成一个个的器件芯片(例如，参照日本特开平10-305420号)。

在上述第1加工方法中，不会产生加工屑，与基于以往通常使用的切削刀具的划片相比较，存在切割线的极小化和无水加工等优点，广泛地使用。

并且，在基于激光束照射的划片方法中，存在能够对替代投影晶片这样的分割预定线(间隔道)是非连续性的结构的晶片进行加工这样的优点(例如，参照日本特开10-123723号)。在分割预定线是非连续性的晶片的加工中，根据分割预定线的设定对激光束的输出进行接通/断开而进行加工。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

专利文献2：日本特开平10-305420号公报

专利文献3：日本特开2010-123723号公报

但是，在沿第2方向伸长的分割预定线与沿第1方向连续性地伸长的分割预定线呈T字路相遇的交点附近，存在如下这样的问题。

(1)当在与器件的一边平行的第1分割预定线的内部先形成有第1改质层，在与该第1分割预定线呈T字路地相交的第2分割预定线的内部形成第2改质层时，存在如下的问题：随着激光束的聚光点接近于T字路的交点，对第2分割预定线进行加工的激光束的一部分向已经形成的第1改质层照射，而产生激光束的反射或者散射，光向器件区域泄漏，因该泄漏光而给器件带来损伤，降低器件的品质。

(2)相反地，当在与器件的一边平行的第1分割预定线上形成改质层之前，沿着与第1分割预定线呈T字路相遇的第2分割预定线在晶片的内部先形成改质层时，存在如下的问题：在T字路的交点处不存在将从在T字路的交点附近所形成的改质层产生的裂纹的行进阻断的改质层，导致裂纹从T字路的交点处伸长1～2mm左右而到达器件，降低器件的品质。

发明内容