[发明专利]一种抗日光干扰中波红外火焰探测技术在审
| 申请号： | 201610922253.3 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107976258A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 周兰芳 | 申请（专利权）人： | 上海桐钰电力科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201821 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抗日 干扰 中波 红外 火焰 探测 技术 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗日光干扰中波红外火焰探测技术，其特征在于，包括：
红外感应电路模块板，所述红外感应电路模块板包括依次电连接的锑化铟感光元、铟片、硅读电路，以及在锑化铟感光元前所镀的带通膜。
2.根据权利要求1所述的抗日光干扰中波红外火焰探测技术，其特征在于：通过光波长是6-6.5微米的红外光带通膜。
3.根据权利要求1所述的抗日光干扰中波红外火焰探测技术，其特征在于：用于判断所使用的红外波长为6-6.5微米的红外光波段。
4.根据权利要求1所述的抗日光干扰中波红外火焰探测技术，其特征在于：用于感应红外光使用的材料是锑化铟，连接传递材料是铟片，以及使用的硅读电路电路输出及增益放大电路。
5.根据权利要求1所述的抗日光干扰中波红外火焰探测技术，其特征在于：红外感应电路中锑化铟感光元与硅读电路之间的封装方式。
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