[发明专利]一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极及制备方法

权利要求书

1.一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极，其特征在于：该阴极自下而上由GaAs衬底层(1)、分布式布拉格反射镜结构的缓冲层(2)、Al_x3Ga_1-x3As发射层(3)以及Cs/O激活层(4)组成，所述的分布式布拉格反射镜结构的缓冲层(2)由10～30对的Al_x1Ga_1-x1As/Al_x2Ga_1-x2As交叠层组成。

2.根据权利要求1所述的提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极，其特征在于，所述的分布式布拉格反射镜结构的缓冲层(2)采用AlAs/GaAs结构组合。

3.根据权利要求1或2所述的提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极，其特征在于，所述的分布式布拉格反射镜结构的缓冲层(2)中，Al_x1Ga_1-x1As层的厚度为40～50nm，Al_x2Ga_1-x2As层的厚度为30～40nm。

4.根据权利要求1所述的提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极，其特征在于，所述的Al_x3Ga_1-x3As发射层(3)的厚度为300～600nm。

5.根据权利要求1所述的提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极，其特征在于，所述的Al_x3Ga_1-x3As发射层(3)的Al组分为x₃，满足0.5≤x₃≤0.7。

6.根据权利要求1所述的提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极，其特征在于，所述的Cs/O激活层(4)通过超高真空激活工艺吸附在AlGaAs发射层(3)的表面上。

7.一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤如下：

(1)在抛光的GaAs衬底层(1)表面，通过半导体材料的外延生长工艺生长分布式布拉格反射镜结构的缓冲层(2)；

(2)在分布式布拉格反射镜结构的缓冲层(2)的表面采用相同工艺继续生长Al_x3Ga_1-x3As发射层(3)；

(3)经过化学腐蚀以及超声波去除AlGaAs发射层(3)表面的氧化物、油脂，再送入到超高真空系统中进行加热净化，然后通过超高真空激活工艺在Al_x3Ga_1-x3As发射层(3)表面形成一层Cs/O激活层(4)。