[发明专利]改善高温退火热分布的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种改善高温退火热分布的方法。

背景技术

在半导体制造过程中，往往需要实施高温退火工艺过程。在该步工艺过程中，由于圆片上的金属图形局部密度不均匀，在退火过程中会导致热分布不均匀，使得退火后的金属图形的形貌在平整度方面存在明显差异，影响最终器件或电路的良品率和稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善高温退火热分布的方法，以改善上述的问题。

本发明是这样实现的：

一种改善高温退火热分布的方法，包括以下步骤：

在版图中定义第一填充区域、第二填充区域；第一填充区域为器件或电路图形区，用以布置实际的器件或电路结构，第二填充区域为非器件或非电路区域；

在所述第一填充区域内填充第一图形，第一图形为器件或电路图形；

在所述的第二填充区域内填充牺牲图形，以平衡第一填充区域和第二填充区域的热量分布。

进一步，所述第一填充区域、第二填充区域在版图制作时完成定义；所述第一填充区域为版图设计时器件或电路需要占用的区域，所述第二填充区域为版图设计时器件或电路的非占用区域。

相较于现有技术，本发明所提出的改善高温退火热分布的方法，通过在非器件或非电路区域填充牺牲图形的方法，调节局部图形密度，通过填充牺牲图形，改善高温退火工艺的热分布，进而达到提高产品的可靠性和良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明第一实施例提供的改善高温退火热分布的方法的流程图；

图2为本发明第一实施例中在版图中分别设有A和B两种曝光场版图示意图；

图3为图2中虚线框所示部分的局部放大图；

图4为图3定义填充区域后的示意图；

图5为本发明第二实施例提供的改善高温退火热分布的方法的流程图；

图6为本发明第二实施例中已定义填充区域的版图示意图；

图7为本发明第三实施例中已定义填充区域的版图示意图。

具体实施方式

在半导体制造过程中，比如三-五族半导体制造过程中，需要实施高温退火工艺过程。在该步工艺过程中，高温退火的过程中由于存在热分布不均匀，使得退火后的器件或电路的形貌在平整度方面存在明显差异，影响器件或电路的良品率和稳定性能。为克服上述问题，发明人经过长期研究和实践，提出了本发明实施例所提供的方法。

下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

第一实施例

请参阅图1，是本发明较佳实施例，提供了一种改善高温退火热分布方法的流程图，该方法用于在半导体制造技术领域中，包括AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造，三-五族半导体集成电路制造领域等。该方法包括以下步骤：

步骤S101：在版图中定义第一填充区域、第二填充区域。

在该步骤中，提供器件或电路版图，通常器件或电路版图包括多个图形层。包括对为图形层、欧姆图形层、栅电极图形层等。各个图形层均包括在第一图形之中。退火工艺体现在欧姆图形层。实施例以欧姆图形层来说明。首先在基片上形成欧姆图形层。该欧姆图形层在基片上的分布如图2所示，其中A和B表示两种曝光场版图，A为器件曝光场版图，B为PCM插花曝光场版图。

如图所示3，图3是图2所示图形的一个局部，为图2虚线框所表示的部分。图3情形对应实际中常见的PCM插花情形，A为器件曝光场版图，B为PCM插花曝光场版图。

需要说明的是，图2所示的情形，为未定义第一填充区域和第二填充区域的情况。

如图4所示，本发明实施例中，基于图3所示情形，定义PCM插花曝光场版图B中的器件或电路图形区域为第一填充区域。