[发明专利]改善高温退火热分布的方法在审
| 申请号： | 201610880299.3 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107918686A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王家鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 栾波 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 高温 火热 分布 方法 | ||
1.一种改善高温退火热分布的方法，其特征在于，包括：
在版图中定义第一填充区域、第二填充区域；第一填充区域为器件或电路图形区域，用以布置实际的器件或电路结构，第二填充区域为非器件或非电路区域；
在所述第一填充区域内填充第一图形，第一图形为器件或电路图形；
在所述的第二填充区域内填充牺牲图形，以平衡第一填充区域和第二填充区域的热量分布。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一填充区域和所述第二填充区域在版图制作时完成定义。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一填充区域为版图设计时器件或电路需要占用的区域，所述第二填充区域为版图设计时器件或电路的非占用区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二填充区域内形成环绕所述第一填充区域的区块，所述区块用于填充牺牲图形。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二填充区域内形成位于所述第一填充区域上侧或/和下侧的区块，所述区块用于填充牺牲图形。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二填充区域内形成位于所述第一填充区域左侧或右侧的区块，所述区块用于填充牺牲图形。
7.根据权利要求4-6任一一项所述的方法，其特征在于，所述第二填充区域内形成的区块的形状对所述第一填充区域形成包围或对所述第一填充区的局部形成包围，所述第二填充区域内形成的区块的形状为条形、L形、或者条形及L形的组合。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一图形中的欧姆层次图形的形成与所述牺牲图形在同一工艺步骤形成。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一图形中的欧姆层次图形的形成与所述牺牲图形在不同工艺步骤形成。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二填充区域的所述牺牲图形最小尺寸为30um。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一填充区域内填充的所述第一图形在欧姆层次的金属与所述第二填充区域内牺牲图形所采用的金属相同。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一填充区域内填充的所述第一图形在欧姆层次的金属与所述第二填充区域内牺牲图形所采用的金属不相同。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲图形所采用的金属以所述第一填充区域内欧姆层次的金属类型为准。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述牺牲图形所采用的金属为Al、Ni、Ti金属的一种或者几种的组合。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述牺牲图形所采用的金属的厚度为
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