[发明专利]触发器在审
| 申请号： | 201610872744.1 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107888168A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 薛盘斗;冯光涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/353 | 分类号： | H03K3/353 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,卜璐璐 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 触发器 | ||
1.一种触发器，其特征在于，所述触发器包括脉冲信号发生器和条件放电触发器，所述脉冲信号发生器用于在时钟信号的上升沿和下降沿产生脉冲信号，所述条件放电触发器用于基于所述脉冲信号发生器所产生的脉冲信号对输入信号进行采样并锁存。
2.根据权利要求1所述的触发器，其特征在于，所述脉冲信号发生器包括一个反相器和一个异或非门，所述反相器用于产生所述时钟信号的相反信号，所述异或非门基于所述时钟信号和所述时钟信号的相反信号产生所述脉冲信号。
3.根据权利要求2所述的触发器，其特征在于，所述异或非门包括两个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管以及一个反相器。
4.根据权利要求2所述的触发器，其特征在于，所述反相器包括一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管以及一个电阻，所述电阻的阻值能够调节以根据需要调节所述反相器的延迟。
5.根据权利要求4所述的触发器，其特征在于，所述电阻由NMOS晶体管实现，其栅极直接连接高电平，阻值通过调节其沟道长度来调节。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的触发器，其特征在于，所述条件放电触发器包括三个PMOS晶体管、五个NMOS晶体管以及三个反相器。
7.根据权利要求6所述的触发器，其特征在于，所述条件放电触发器通过一条支路对所述输入信号进行采样。
8.根据权利要求7所述的触发器，其特征在于，所述条件放电触发器仅输入所述输入信号，而无需输入所述输入信号的相反信号。
9.根据权利要求6所述的触发器，其特征在于，所述条件放电触发器在采样支路上引入其输出信号进行控制。
10.根据权利要求7-9中的任一项所述的触发器，其特征在于，所述条件放电触发器在所述脉冲信号为高电平时工作。
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