[发明专利]支持大于4GB非线性闪存的方法及装置

说明书

本发明实施例提供一种支持大于4GB非线性闪存的方法及装置。该方法包括：将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到2⁶⁴字节，将NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到2⁶⁴；接收第一指令；根据第一指令调用对应的函数，判断第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，第一阈值大于32位；当第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对NAND FLASH芯片进行访存。本发明实施例使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。

技术领域

本发明实施例涉及计算机技术领域，尤其涉及一种支持大于4GB非线性闪存的方法及装置。

背景技术

随着技术的发展，对于大容量NAND Flash存储介质的需求越来越大，VxWorks系统中现有驱动只支持页大小为512B的NAND Flash。在现有硬件的基础上迫切需要VxWorks系统能够支持大容量的NAND Flash。

VxWorks中构建NAND Flash的框架都是dosFS+TrueFFS，TrueFFS由核心层(corelayer)和三个功能层组成，该三个功能层为翻译层(translation layer)、MTD层(MTDlayer)和socket层(socket layer)。

VxWorks系统中文件系统dosFS的扇区大小为512B，TrueFFS使用的数据类型是32位，导致VxWorks系统可支持的NAND Flash器件容量较小，降低了VxWorks系统的存储效率。

发明内容

本发明实施例提供一种支持大于4GB非线性闪存的方法及装置，以提高VxWorks系统的存储效率。

本发明实施例的一个方面是提供一种支持大于4GB非线性闪存的方法，包括：

将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到2⁶⁴字节，将所述NANDFLASH芯片的寻址空间扩大到2⁶⁴；

接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；

根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；

当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存。

本发明实施例的另一个方面是提供一种支持大于4GB非线性闪存的装置，包括：

设置模块，用于将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到2⁶⁴字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到2⁶⁴；

接收模块，用于接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；

判断模块，用于根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；

访存模块，用于当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存。