[发明专利]一种Co3O4@NiO@NiMoO4异质纳米阵列结构材料、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201610842960.1 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106298261B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴正翠;李静静;高峰 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质 纳米阵列结构材料 壳层 制备 复合电极材料 纳米阵列结构 超级电容器 电子导电性 倍率特性 电极材料 互连网络 快速离子 纳米结构 设计合成 循环寿命 比电容 导电基 电容量 壳材料 泡沫镍 核层 整合 应用 三维 扩散 | ||
【说明书】：
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