[发明专利]模数转换器电路有效

专利信息
申请号: 201610810525.0 申请日: 2016-09-08
公开(公告)号: CN107809243B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 张辉;富浩宇;高远;王海军 申请(专利权)人: 上海贝岭股份有限公司
主分类号: H03M1/04 分类号: H03M1/04
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;邓忠红
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 转换器 电路
【权利要求书】:

1.一种模数转换器电路,包括电连接的子ADC电路和子DAC电路,所述子ADC电路包括若干比较器,所述子DAC电路包括若干DAC单元,所述比较器与所述DAC单元对应,所述比较器的数量与所述DAC单元的数量相同,其特征在于,

所述模数转换器电路还包括阈值电压产生电路,所述阈值电压产生电路用于产生所述若干比较器的阈值电压;所述阈值电压产生电路包括动态元件匹配电路,所述动态元件匹配电路用于以随机顺序一对一连接所述比较器的输出与所述DAC单元的输入;

所述动态元件匹配电路包括第一伪随机码产生电路,所述第一伪随机码产生电路用于产生第一随机数,所述第一随机数用于生成所述随机顺序;

所述阈值电压产生电路还包括阈值抖动电压注入电路,所述阈值抖动电压注入电路包括第二伪随机码产生电路和阈值抖动电压注入DAC,所述第二伪随机码产生电路用于产生第二伪随机数,所述阈值抖动电压注入DAC用于将所述第二伪随机数转换成随机电压模拟量;

所述阈值电压产生电路还包括比较器失调电压校准电路,所述比较器失调电压校准电路包括若干失调电压DAC和数字存储器,所述失调电压DAC的数量同所述比较器的数量相同,所述数字存储器用于存储每个所述比较器的失调电压对应的数字值,所述失调电压DAC用于将所述数字值转换成失调电压模拟量,所述随机电压模拟量、所述失调电压模拟量与所述阈值电压产生电路的输入电压叠加后输出至所述比较器;

所述动态元件匹配电路、所述阈值抖动电压注入电路和所述比较器失调电压校准电路共用一个可编程控制电路;

所述可编程控制电路包括若干组可编程单元,所述可编程单元的数量同所述比较器的数量相同;

所述可编程单元包括第一电流源阵列、第二电流源阵列、第一电阻和第二电阻;

所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相同,所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端接至共模电压,所述第一电阻的另一端与所述第一电流源阵列的输出端电连接,所述第二电阻的另一端与所述第二电流源阵列的输出端电连接;

所述第一电流源阵列和所述第二电流源阵列的输出电流的大小与方向均数字可编程,所述第一电流源阵列和所述第二电流源阵列的电流方向相反。

2.如权利要求1所述的模数转换器电路,其特征在于,所述第一电流源阵列包括二进制权重数量的第一MOS电流源组,所述第二电流源阵列包括二进制权重数量的第二MOS电流源组,所述第一MOS电流源组和所述第二MOS电流源组的数量相同,其中,所述二进制权重数量为2的整数倍;

所述第一MOS电流源组包括第一PMOS电流源、第一NMOS电流源、第一开关和第二开关,所述第一PMOS电流源的源极接电源,所述第一PMOS电流源的漏极接所述第一开关的一端,所述第一NMOS电流源的源极接地,所述第一NMOS电流源的漏极接所述第二开关的一端,所述第一开关的另一端和所述第二开关的另一端电连接,每个第一电流源阵列中所有的第一开关的另一端输出至所述第一电阻的另一端;

所述第二MOS电流源组包括第二PMOS电流源、第二NMOS电流源、第三开关和第四开关,所述第二PMOS电流源的源极接电源,所述第二PMOS电流源的漏极接所述第三开关的一端,所述第二NMOS电流源的源极接地,所述第二NMOS电流源的漏极接所述第四开关的一端,所述第三开关的另一端和所述第四开关的另一端电连接,每个第二电流源阵列中所有的第三开关的另一端输出至所述第二电阻的另一端;

所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关均包括可编程的极性控制位和开关控制位,所述第一开关的极性控制位和所述第四开关的极性控制位相同,所述第二开关的极性控制位和所述第三开关的极性控制位相同,所述第一开关的极性控制位与所述第二开关的极性控制位相反;

所述第一开关的极性控制位和所述第一开关的开关控制位均为1时,所述第一开关才闭合;

所述第四开关的极性控制位和所述第四开关的开关控制位均为1时,所述第四开关才闭合;

所述第二开关的极性控制位为0且所述第二开关的开关控制位为1时,所述第二开关才闭合;

所述第三开关的极性控制位为0且所述第三开关的开关控制位为1时,所述第三开关才闭合。

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