[发明专利]靶材的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及靶材制造领域，特别涉及一种靶材的加工方法。

背景技术

磁控溅射是一种利用带电粒子轰击靶材，使靶材原子从表面溢出并均匀沉积在基片上的镀膜工艺。磁控溅射具有溅射率高、基片温度低、基片与膜层之间结合力好和优异的膜层均匀性等优势。磁控溅射技术已经被广泛应用于集成电路、信息存储设备、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等电子以及信息产业的制造过程中。

随着电子产业高速发展，如集成电路制造过程中，芯片基片尺寸不断提高，而电子器件尺寸不断减小，集成电路电子器件集成度随之提高，制造技术对磁控溅射技术的工艺要求越来越严格。

磁控溅射过程中所使用靶材的质量是影响磁控溅射镀膜质量的关键因素之一。所以对于溅射靶材的质量要求高于传统材料行业的质量要求。溅射靶材的一般质量要求主要包括对于尺寸、平整度、纯度、成分含量、密度，晶粒尺寸与缺陷控制等方面的要求；此外，在面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成分与组织均匀性、异物(氧化物)含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等方面，溅射靶材具有更高的质量要求或者特殊的质量要求。而且随着技术的发展，靶材溅射面不再仅仅是平面结构的，还发展出了溅射面开设有V型槽的靶材。

但是现有机械加工技术对于溅射面具有V型槽的靶材加工效率较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种靶材的加工方法，以提高溅射面具有V型槽的靶材的加工效率。

为解决上述问题，本发明提供一种靶材的加工方法，包括：

提供靶材，所述靶材具有待加工面；提供刀具，所述刀具包括刀片，所述刀片上具有排削槽；采用所述刀具对所述待加工面进行车削加工以形成溅射面，车削过程中所产生的废削通过所述刀片上的排削槽排出。

可选的，提供刀具的步骤中，所述刀片具有前刀面，所述排削槽位于所述前刀面上；采用所述刀具对所述待加工面进行车削加工的步骤中，部分所述前刀面与所述靶材的材料相接触以进行车削加工。

可选的，提供刀片的步骤中，所述前刀面呈菱形，所述前刀面的边为所述刀片的切削刃，所述排削槽平行所述切削刃设置；采用所述刀具对所述待加工面进行车削加工的步骤包括，通过所述切削刃对所述待加工面进行车削加工。

可选的，提供刀具的步骤中，所述刀片的材料为H210T合金。

可选的，提供刀具的步骤中，所述刀具还包括用于固定所述刀片的刀杆；提供所述到刀具的步骤包括：将所述刀片固定于所述刀杆上。

可选的，采用刀具对所述待加工面进行车削加工的步骤包括：对所述待加工面进行粗车加工，以形成粗加工面；对所述粗加工面进行精车加工，以形成溅射面。

可选的，所述粗车加工的步骤和所述精车加工的步骤中的一个或两个步骤包括：采用数控机床进行加工。

可选的，所述粗车加工的步骤中，所述数控机床的转速在450转/分钟到550转/分钟范围内，进给量在0.27毫米/分钟到0.33毫米/转范围内，吃刀量在0.45毫米到0.55毫米范围内。

可选的，所述精车加工步骤中，所述数控机床的转速在720转/分钟到880转/分钟范围内，进给量在0.135毫米/分钟到0.165毫米/转范围内，吃刀量在0.09毫米到0.11毫米范围内。

可选的，所述粗车加工的步骤中，垂直所述待加工面的方向上，所述粗车加工的余量在0.45毫米到0.55毫米范围内。

可选的，所述粗车加工的步骤中，平行所述待加工面平面的方向上，所述粗车加工的余量在0.45毫米到0.55毫米范围内。

可选的，在采用所述刀具对所述待加工面进行机械加工的步骤中，在所述刀片与所述待加工面的接触处添加冷却剂。

可选的，在所述刀片与所述待加工面的接触处添加冷却剂的步骤中，所述冷却剂为包含有3380乳化剂的水溶液。

可选的，提供靶材的步骤中，所述靶材的材料为铜。

可选的，进行车削加工的步骤包括：采用所述刀具对所述待加工面进行车削加工，在所述待加工面上形成V型凹槽，以形成溅射面。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：