[发明专利]晶片位置检测方法

权利要求书

1.一种晶片位置检测方法，晶片由片盒承载，所述片盒包括用于承载晶片的多个片槽，且沿竖直方向间隔排布，其特征在于，所述晶片位置检测方法包括以下步骤：

S1，利用反射型光电传感器分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；所述两条侧位垂直线分别位于所述片槽的垂直中心线的两侧；

S2，将同一晶片的沿所述两条侧位垂直线的两个扫描结果进行对比，若两个扫描结果一致，则确定晶片位置正常；若两个扫描结果不一致，则确定晶片位置异常；

所述步骤S1进一步包括以下步骤：

记录在所述反射型光电传感器的电平信号发生变化时，所述反射型光电传感器的当前高度值；所述电平信号包括高电平信号和低电平信号，二者分别表示扫描到晶片时的信号和未扫描到晶片时的信号；

所述步骤S2进一步包括以下步骤：

判断同一晶片的沿两条侧位垂直线扫描的所述反射型光电传感器的电平信号在第一次出现高电平信号时，两个所述反射型光电传感器的当前高度值是否出现在同一片槽高度区间；

若是，则确定晶片位置正常；若否，则确定晶片出现交叉片情况；

所述判断两个反射型光电传感器的当前高度值是否出现在同一片槽高度区间的判断标准为以1/2片槽高度为判断标准，片槽高度区间分为上1/2片槽高度区间和下1/2片槽高度区间。

2.根据权利要求1所述的晶片位置检测方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括以下步骤：

计算同一晶片的沿两条侧位垂直线扫描的所述反射型光电传感器的电平信号在第一次出现高电平信号时，两个所述反射型光电传感器的当前高度值的差值；

判断所述差值是否超出预设阈值，若否，则确定晶片位置正常；若是，则确定晶片出现交叉片情况。

3.根据权利要求2所述的晶片位置检测方法，其特征在于，所述预设阈值为单个晶片厚度的1.5～2倍。

4.根据权利要求1所述的晶片位置检测方法，其特征在于，所述步骤S1进一步包括以下步骤：记录所述反射型光电传感器的电平信号发生的极短跳变；所述电平信号包括高电平信号和低电平信号，二者分别表示扫描到晶片时的信号和未扫描到晶片时的信号；所述极短跳变是指在出现所述低电平信号极短时间之后切换至所述高电平信号。

5.根据权利要求4所述的晶片位置检测方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括以下步骤：计算同一片槽内的沿一条侧位垂直线扫描晶片的所述反射型光电传感器的电平信号出现所述极短跳变时，反射型光电传感器检测到高电平信号时对应着其在同一个片槽内的垂直方向上移动的距离的和；判断所述移动的距离的和是否超出预设阈值，若否，则确定晶片位置正常；若是，则确定晶片出现重叠片情况。

6.根据权利要求5所述的晶片位置检测方法，其特征在于，所述预设阈值为晶片厚度的1.65～1.85倍。

7.根据权利要求1所述的晶片位置检测方法，其特征在于，以片槽的中心为圆心，所述侧位垂直线和所述垂直中心线之间的中心夹角的取值范围在15-60°。

8.根据权利要求1所述的晶片位置检测方法，其特征在于，所述两条侧位垂直线相对于所述片槽的垂直中心线对称分布。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的晶片位置检测方法,其特征在于，所述反射型光电传感器安装在用于传输晶片的机械手上，用以在所述机械手的带动下分别沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片。