[发明专利]一种气体传感器加热盘及加工方法有效
| 申请号： | 201610738908.1 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107782767B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 邹波;郭梅寒;程程 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海剑秋知识产权代理有限公司 31382 | 代理人： | 杨飞 |
| 地址： | 312030 浙江省绍兴市柯桥区柯桥*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 气体 传感器 加热 加工 方法 | ||
1.一种气体传感器加热盘的加工方法，其特征在于，包括：
在硅晶圆(1)上设置绝缘层(2)；
在所述绝缘层(2)上设置加热电极(31)；在所述绝缘层(2)上设置检测电极(4)，所述检测电极(4)与所述加热电极(31)相互独立；
所述绝缘层(2)上设置加热电极(31)包括：
所述绝缘层(2)上淀积或溅射整块完整的加热电极材料层(3)，并将所述加热电极材料层(3)图形化分隔出加热种子层与缓冲层(32)，所述加热种子层与所述缓冲层(32)相互独立不连接；所述加热种子层直接作为所述加热电极(31)或者在所述加热种子层上淀积或溅射所述加热电极(31)；
所述绝缘层(2)上设置检测电极(4)包括：
所述缓冲层(32)分隔为相互独立的两部分，在所述缓冲层(32)的两部分上分别独立淀积或溅射所述检测电极(4)；
所述硅晶圆(1)刻蚀出检测腔(5)。
2.根据权利要求1所述的气体传感器加热盘的加工方法，其特征在于，还包括：
在所述绝缘层(2)、所述加热电极(31)和所述检测电极(4)上整体涂覆或淀积气敏层(6)。
3.一种气体传感器加热盘，其特征在于，包括：
硅晶圆(1)，所述硅晶圆(1)上设置检测腔(5)；
设置于所述硅晶圆(1)上的绝缘层(2)；
置于所述绝缘层(2)上的加热电极(31)和检测电极(4)，所述检测电极(4)与所述加热电极(31)相互独立；
所述绝缘层(2)上的加热电极材料层(3)分隔形成加热种子层，所述加热种子层直接作为所述加热电极(31)或者在所述加热种子层上设置所述加热电极(31)；所述加热电极材料层(3)的其他部分形成缓冲层(32)，所述缓冲层(32)包括相互独立的两部分，所述缓冲层(32)的两部分独立设置所述检测电极(4)。
4.根据权利要求3所述的气体传感器加热盘，其特征在于，还包括整体覆盖在所述绝缘层(2)、所述加热电极(31)和所述检测电极(4)上的气敏层(6)。
5.根据权利要求4所述的气体传感器加热盘，其特征在于，所述加热电极(31)呈S形分布在所述绝缘层(2)上，所述加热电极(31)的两端相对设置。
6.根据权利要求5所述的气体传感器加热盘，其特征在于，所述检测电极(4)穿插布置于所述加热电极(31)的两侧，所述加热电极(31)将所述检测电极(4)的两部分分隔。
7.根据权利要求4所述的气体传感器加热盘，其特征在于，所述加热电极(31)的材料为Ti、Pt或Au；所述检测电极(4)的材料为Pt或Au，所述气敏层(6)为SnO2或WO3。
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