[发明专利]六端网络型千瓦级射频功率电阻器

说明书

技术领域

本发明涉及电阻器领域，特别是指一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器。

背景技术

普通射频功率电阻器制造,包含法兰盘、基体、位于基体下表面的B面导电膜层、位于基体上表面的A面电极膜层、位于基体上表面并与A面电极膜层相搭接的电阻膜层、位于基体上表面并覆盖整个电阻体起保护作用的的玻璃介质膜层，以及位于整个电阻器最表层起保护电阻器完整性的陶瓷盖板。

传统射频功率电阻器采用单一基体承载电阻体来吸收功率,吸收的功率以热能的形势通过基体和法兰盘散发出去。随着现代广播通信技术对射频功率电阻器功率要求的增大，电阻体需要越来越大的面积来吸收功率，但是当功率达到千瓦级别时，单纯的增加电阻体的面积并不能解决散热的问题，热量会在基体中央集中产生热聚集现象，从而使电阻体中央温度急剧上升导致热击穿致使电阻器失效。并且如果单一基体的射频功率电阻器要达到能够吸收千瓦级功率的能力同时造成热聚集现象，那么需要基体和电阻体的面积都要非常大，电阻体面积过大会带入过大的寄生参数，而基体面积过大会因受热不均而产生形变。

发明内容

本发明提出一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器，能够使得射频功率电阻的功率承受突破千瓦级别而不会因电阻器过热产生热击穿；使得千瓦级射频功率电阻器频率特性达到1GHz(VSWR≤1.2)。

本发明的技术方案是这样实现的：一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器，包括法兰盘和基体，电阻器系统是由一级衰减系统、二级衰减系统和负载系统三个系统组成；其中一级衰减系统和二级衰减系统采用π形衰减结构，均包括三个基体和各自的A面电极、B面电极及侧面电极；

所述A面电极在基体的上表面，一级衰减系统和二级衰减系统的A面电极为衰减电极，负载系统的为负载电极，所述衰减电极由两部分呈中心对称的电极组成，所述负载电极为反“匚”形结构；所述B面电极在基体的下表面，侧面电极在基体的侧面并连接A面电极和B面电极；所述衰减系统中每组侧面电极包含左右两个,所述负载系统中侧面电极仅有一个；

电阻体位于A面电极之上并且与A面电极各搭接端稳定搭接,还包括覆盖在各电阻体上起保护作用的介质保护层；金属引线采用焊接工艺焊接于A面电极之上；封装盖板采用高温粘接剂粘接在基体上表面；所述介质保护层、金属引线及封装盖板均为三个，且均一一对应设置。

作为优选，所述B面电极采用丝网漏印工艺印在基体的下表面。

作为优选，所述法兰盘为紫铜材料，并在表面镀上便于焊接的银层。

与现有技术相比，本发明的优点在于：采用分级降额原理，使三个基体分别承受一定的功率，避免了功率集中在单一基体上而产生热集中现象，使整个电阻器承受功率的能力大大增加。降低了电阻器整体分布参数，从而使得电阻器的频率特性得到提高。一级衰减和二级衰减的衰减分贝呈阶梯状上升，功率分配也是呈阶梯状，并不是采用等分贝平均分配功率，避免了一级衰减在瞬间超大功率通过时承受过大的功率导致电阻器被瞬间烧坏，这样就大大增加了电阻器的可靠性。填补了广播通信领域千瓦级高频功率电阻器的空白。

附图说明

图1为本发明的整体结构示意图；

图2为本发明的基体及电极部分结构示意图；

图3为本发明电阻体部分的结构示意图。

图中：1、法兰盘；2、基体；3、B面电极；4、侧面电极；5、A面电极；6、电阻体；7、介质保护层；8、金属引线；9、封装盖板。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例：参见图1、图2和图3，一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器，包括法兰盘1和基体2，电阻器系统是由一级衰减系统、二级衰减系统和负载系统三个系统组成；其中一级衰减系统和二级衰减系统采用π形衰减结构，均包括三个基体2和各自的A面电极5、B面电极3及侧面电极4；

所述A面电极5在基体2的上表面，一级衰减系统和二级衰减系统的A面电极5为衰减电极，负载系统的为负载电极，所述衰减电极由两部分呈中心对称的电极组成，所述负载电极为反“匚”形结构；所述B面电极3在基体2的下表面，侧面电极4在基体2的侧面并连接A面电极5和B面电极3；所述衰减系统中每组侧面电极4包含左右两个,所述负载系统中侧面电极4仅有一个；