[发明专利]单光子探测器探测致盲攻击的监测装置与方法

权利要求书

1.单光子探测器探测致盲攻击的监测装置，包括单光子探测器；其特征在于还包括：温度监测模块、电压监测模块、电流监测模块和参数监测模块；

温度监测模块用于监测单光子探测器的光敏元件的工作温度；

电压监测模块用于监测单光子探测器的光敏元件的工作电压和甄别阈值电压；

电流监测模块用于监测流过单光子探测器的光敏元件的光电流；光电流可通过电流表进行监测，也可以通过对串联电阻进行电压采样进行监测；

参数监测模块用于将实时指标数据与参考指标数据进行比较，以实现监测；参数监测模块通过存储标定的单光子探测器的探测效率、暗计数率和后脉冲率，形成参考指标数据；参数监测模块通过监测工作时的单光子探测器的探测效率、暗计数率和后脉冲率，形成实时指标数据。

2.根据权利要求1所述的单光子探测器探测致盲攻击的监测装置，其特征在于：温度监测模块为温度传感器或者温度计；所述温度传感器是热电阻温度传感器或者热电偶温度传感器。

3.根据权利要求1所述的单光子探测器探测致盲攻击的监测装置，其特征在于：电压监测模块为电压采样器、电压表或者示波器。

4.根据权利要求3所述的单光子探测器探测致盲攻击的监测装置，其特征在于：所述电压监测模块还包括ADC芯片和CPU； ADC芯片用于对工作电压和甄别阈值电压采样并进行模数转换，然后输出给CPU进行监测。

5.根据权利要求1所述的单光子探测器探测致盲攻击的监测装置，其特征在于：电流监测模块为电流采样器、电流表或者示波器。

6.根据权利要求1所述的单光子探测器探测致盲攻击的监测装置，其特征在于：单光子探测器是以InGaAs-APD或Si-APD为光敏元件的单光子探测器，或者是光电倍增管，或者是以超导纳米线为吸收材料的超导单光子探测器。

7.一种采用权利要求1-6中任一项所述的单光子探测器探测致盲攻击的监测装置的单光子探测器探测致盲攻击的监测方法，其特征在于包括以下步骤：通过温度监测模块监测单光子探测器光敏元件的工作温度和/或通过电压监测模块监测单光子探测器光敏元件的工作电压和甄别阈值电压和/或通过电流监测模块监测流过单光子探测器光敏元件的光电流和/或通过参数监测模块存储标定的单光子探测器的探测效率、暗计数率和后脉冲率，形成参考指标数据；通过参数监测模块监测工作时的单光子探测器的探测效率、暗计数率和后脉冲率，形成实时指标数据；通过参数监测模块将实时指标数据与参考指标数据进行比较，以实现监测。