[发明专利]感知热策略方法和相应感知热策略装置在审
申请号: | 201610587082.3 | 申请日: | 2016-07-25 |
公开(公告)号: | CN107291116A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 汪威定;李翰林;黄鸿杰 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | G05D23/20 | 分类号: | G05D23/20 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人: | 白华胜,王蕊 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感知 策略 方法 相应 装置 | ||
【技术领域】
本发明有关于功率/资源预算方法,更具体来说,有关于芯片感知热策略方法和相应感知热策略装置。
【背景技术】
随着移动/无线和其他电子装置的快速发展,上述装置若要获得成功,电池寿命成为一个重要的因素。与此同时,许多用于上述设备的高级应用也变得越来越普及。上述应用通常要求装置中的元件具有高性能。可持续的电源受到散热能力和温度的限制。若温度过高,则装置或半导体芯片会失灵。通常在装置上使用热节流(Thermal throttle)方法来防止由于散热限制造成的过热问题。热节流的问题之一是效率。传统的热节流使用泛型参数(generic parameters)控制温度。上述参数,例如最高允许温度和阈值温度不考虑每个单独的芯片的特性。举例来说,不同功率泄漏导致不同热-功率性能。在半导体制造中,工艺角(process corner)是指在施加IC设计到半导体晶片的制造参数变化的技术的一个例子。工艺角表示电路中这些参数变化的极端,其中被蚀刻到晶片上的电路必须正常工作。在这些工艺角制造的装置上运行的电路可能比指定的运行的慢或者快,且可能以更低或更高的温度和电压运行。当使用同组热-功率参数时,热-功率性能变得不一致。在某些情况下,热-功率控制不能将温度有效控制在所需范围内。在其他情况下,系统的性能被不必要的牺牲。
在当前的一个温度设定的策略下,热-功率性能不是最优化的。它遭受芯片上的潜在目标温度裕度(temperature margin),这导致潜在的性能牺牲。提出热相关的设置,以提高热策略。
因此,需要改进和提高芯片感知热策略。
【发明内容】
有鉴于此,本发明特提供以下技术方案:
本发明实施例提供一种感知热策略方法,包含获取半导体芯片每一工艺角的一组流程相关功率数据;基于流程相关功率数据、最大温度值,以及不同热策略剖析性能数据;以及基于性能数据选择操作热策略,以使热-性能评分满足预定标准。
本发明实施例另提供一种感知热策略方法,包含通过半导体芯片将相应热策略的流程相关功率数据的映射信息储存至存储器中;基于芯片的工艺角信息获取芯片的流程相关功率数据;以及基于储存的映射信息及所获取的工艺角信息应用热策略。
本发明实施例另提供一种感知热策略装置,包含存储器,储存相应热策略的流程相关功率数据的映射信息;工艺角处理器,基于芯片的工艺角信息获取芯片的流程相关功率数据;以及热管理器,基于所储存的映射信息和获取的工艺角信息应用热策略。
以上的感知热策略方法和相应感知热策略装置可以在维持温度在限制之内的同时最大化性能。
【附图说明】
图1是依据本发明实施例的在不同热策略下不同工艺角的热性能的示意图。
图2是依据本发明实施例的基于工艺角信息的热控制的示意图。
图3是依据本发明实施例的执行芯片功率感知控制的装置300的简化区块图。
图4是依据本发明实施例的基于工艺角的流程相关功率数据的芯片感知热控制的范例的流程图。
图5是依据本发明实施例的加载工艺角信息至热策略映射的范例的流程图。
图6是依据本发明实施例的获取不同工艺角热策略的范例性的流程图。
图7是依据本发明实施例的基于工艺角信息的芯片感知热控制的范例性流程图。
【具体实施方式】
在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的组件。所属领域中的技术人员应可理解,制造商可能会用不同的名词来称呼同样的组件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的基准。在通篇说明书及权利要求书当中所提及的「包含」是开放式的用语,故应解释成「包含但不限定于」。另外,「耦接」一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此,若文中描述第一装置耦接于第二装置,则代表第一装置可直接电气连接于第二装置,或透过其它装置或连接手段间接地电气连接至第二装置。
请参考附图所示的范例,现在将详细地对本发明的一些实施例作出说明。
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