[发明专利]集成电路结构在审

专利信息
申请号: 201610567623.6 申请日: 2016-07-19
公开(公告)号: CN107632656A 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 陈启彬 申请(专利权)人: 扬智科技股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 胡林岭
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 结构
【权利要求书】:

1.一种集成电路结构,其特征在于,包括:

参考电路,产生参考电流;以及

至少两个核心电路,耦接所述参考电路以接收所述参考电流,

其中所述核心电路包括:

电流校准电路,依据所述参考电流产生位于所述核心电路中的偏压电流,

所述核心电路使用所述偏压电流来取代所述参考电流,

其中在所述集成电路结构于测试阶段时,所述参考电路透过所述集成电路结构的接脚电性连接至外部阻抗来产生所述参考电流,且在所述测试阶段后,断开所述参考电路与所述集成电路结构的所述接脚之间的连接。

2.如权利要求1所述的集成电路结构,其特征在于,所述电流校准电路包括:

电压产生器,用以产生内部参考电压;

电流产生器,耦接所述电压产生器,依据所述内部参考电压产生内部参考电流;

数字控制电流镜,耦接所述电流产生器,依据所述内部参考电流产生校正电流;以及

电流比较器,耦接所述数字控制电流镜,用以比较所述参考电流以及所述校正电流,

其中在所述电流校准电路启动时,所述数字控制电流镜调整所述校正电流的电流值,

所述数字控制电流镜依据所述电流比较器判断所述校正电流与所述参考电流的比较结果产生所述偏压电流,其中所述偏压电流的电流值与所述参考电流的当前电流值实质相同。

3.如权利要求2所述的集成电路结构,其特征在于,所述电压产生器产生与绝对温度成正比的所述内部参考电压,并且,

所述电流产生器包括具有正温度系数的阻抗元件,所述电流产生器依据所述内部参考电压而产生与系统电压及绝对温度无关的所述内部参考电流。

4.如权利要求3所述的集成电路结构,其特征在于,还包括对应各个所述电流校准电路的存储器单元,所述存储器单元用以记录已校准的所述偏压电流的已校准电流值。

5.如权利要求4所述的集成电路结构,其特征在于,所述参考电路包括参考电流产生器,

其中,在所述集成电路结构于所述测试阶段时,所述参考电流产生器透过所述集成电路结构的接脚耦接至所述外部阻抗以产生所述参考电流,所述电流校准电路依据所述参考电流产生位于所述至少一核心电路中的所述偏压电流,并将所述偏压电流的已校准电流值记录在所述存储器单元,

并且,所述电流校准电路依据所述存储器单元所记录的所述已校准电流值以产生所述偏压电流。

6.如权利要求1所述的集成电路结构,其特征在于,更包括存储器,

且所述参考电路包括:

参考电流产生器,用以产生第一电流;以及

第二电流校准电路,耦接所述参考电流产生器,

其中所述第二电流校准电路利用所述存储器记录所述第一电流的已校准电流值,并依据被记录的所述已校准电流值产生所述参考电流。

7.如权利要求6所述的集成电路结构,其特征在于,在所述集成电路结构于所述测试阶段时,所述参考电流产生器透过所述集成电路结构的接脚耦接至所述外部阻抗以产生所述第一电流,且所述第二电流校准电路记录所述第一电流的已校准电流值,

所述电流校准电路依据所述第二电流校准电路所产生的所述参考电压以产生所述偏压电流。

8.如权利要求1所述的集成电路结构,其特征在于,更包括:

分配电流镜,耦接所述参考电路与所述至少两个核心电路之间,接收所述参考电流并产生多个镜像电流至所述核心电路,以使所述镜像电流作为所述核心电路各自的所述参考电流。

9.如权利要求1所述的集成电路结构,其特征在于,更包括:

多路复用器,其第一连接端耦接所述参考电路,所述多路复用器的第二连接端耦接所述集成电路结构中的数字电路,所述多路复用器的输出连接端耦接所述集成电路结构的所述接脚,其中在所述集成电路结构外部的所述接脚电性连接所述外部阻抗,

当在所述集成电路结构于所述测试阶段时,所述多路复用器将所述第一连接端电性连接至所述输出连接端,

当所述测试阶段结束时,所述多路复用器将所述第二连接端电性连接至所述输出连接端。

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