[发明专利]一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理技术扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉积一层4～5μm厚的非晶硅薄膜，并进行快速热退火处理和700～1000℃，时间为2～3h的退火处理。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)以抛光石墨片为衬底，沉积前先经过惰性气氛高温烘烤，衬底尺寸为50×50mm²～100×100mm²，衬底厚度为2mm～5mm；

(2)在石墨衬底上，采用磁控溅射技术，先沉积一层非晶硅薄膜；

(3)采用快速热处理技术，利用固态硼源，扩散制得重掺杂P型多晶硅层；

(4)用氢氟酸浸泡步骤(3)得到的重掺杂P型多晶硅薄膜，去除表面的硼硅玻璃，并用去离子水冲洗，然后氮气吹干；

(5)采用磁控溅射技术，继续沉积一层4～5μm的非晶硅薄膜；

(6)得到的非晶硅薄膜先进行快速热退火处理，再进行温度为700～1000℃，时间为2～3h的退火处理。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，烘烤温度为1000℃，烘烤时间3h。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，沉积温度为300～500℃。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，扩散温度为900～1000℃，时间为30～50s。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，浸泡时间为10min。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，快速热退火处理的温度为800～1000℃，时间为60～80s。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中沉积的非晶硅薄膜的厚度为200～300nm。