[发明专利]太阳能电池片的氢钝化处理方法及其处理装置

说明书

本发明公开了一种太阳能电池片的氢钝化处理方法，包括设定一光源的光照强度并使用该光源悬空照射太阳能电池片，该光源产生的辐射热加热太阳能电池片，而且使用一致冷介质致冷该太阳能电池片并使该太阳能电池片维持在一恒定温度；其中，照射、加热及致冷该太阳能电池片同时进行，藉此改善太阳能电池片在氢钝化处理过程中的妥善率。为此，本发明还提供了一种实现上述方法的氢钝化处理装置。

技术领域

本发明涉及太阳能电池片的制造过程，特别涉及太阳能电池片中氢源的钝化处理，更具体而言，本发明涉及一种太阳能电池片的氢钝化处理方法及其装置。

背景技术

太阳能电池片是由含有硅晶格的半导体芯片构成，由于在半导体芯片的生产过程中，难免存在结晶质量较差或纯度不佳的硅晶格，这是造成太阳能电池片在使用过程中产生光衰现象进而影响电池效率及使用寿命的主要原因。

为了防止太阳能电池片产生光衰现象，目前在太阳能电池片的生产过程中，已有生产者利用光源来照射并加热太阳能电池片，以便对太阳能电池中片所含的氢源进行钝化处理。所谓氢源的钝化处理，是指利用光源所提供的光照强度来照射热太阳能电池片，并且利用光照过程中产生的热能(例如辐射)来辅助加热太阳能电池片，以便在提供充足光照强度及热源的环境下，将氢原子结合到太阳能电池片的硅晶格内，填补结晶质量较差或纯度不佳的硅晶格，从而防止太阳能电池片在使用过程中产生光衰。

由于可生成光照强度及热能的光源种类繁多，对于氢源的钝化处理，CN104701419 A及CN 101405875 A专利已广义地公开了对太阳能电池片依序进行事前预热、光照同时加热，以及加热后冷却的氢源钝化处理技术。然而，太阳能电池片为了能够取得有利于氢源钝化的充足光照强度，而于接受光照过程中所能承受的加热温度的高或低，是氢源钝化处理合格率是否符合期待的重要技术。

上述专利公开了利用的光源，并没有提供如何维持其光照强度或控制热辐射温度的具体技术，以至于常因光照不足而使得太阳能电池片中的氢原子均匀的受光而填补到硅晶格内，或者为了取得有利于钝化的较强的光照强度，迫使太阳能电池片承受过高温度而适得其反。

为了防止太阳能电池片能于钝化过程中取得有利于钝化的较强光照强度，并且避免遭遇到过高热辐射温度而影响氢钝化效果，上述专利公开于光照及加热太阳能电池片之后，迅速地冷却太阳能电池片。但是，此种后冷作法类似于金属材料的回火处理，在太阳能电池片接受光照及其热辐射加热当下，虽能获得充足的光照，但因温度过高影响了氢钝化效果，事后的冷却过程并无法充分恢复氢钝化的效果，以至于太阳能电池片经氢钝化处理后可减少发生光衰现象的效果仍显不佳，从而有待加以改善。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于解决太阳能电池片在氢源钝化(氢钝化)处理过程中，特别是太阳能电池片依序进行事前预热、光照同时加热以及加热后冷却的制造过程之中，针对该光照同时加热太阳能电池片的中段步骤，改善太阳能电池片接受光源所施加的光照强度及受热温度难以两全其美的问题。

为了解决该问题，本发明的一较佳实施方案提供了一种太阳能电池片的氢钝化处理方法，包括：S1：设定一光源的光照强度并使用该光源悬空照射太阳能电池片；S2：该光源产生的辐射热加热太阳能电池片，S2：使用一致冷介质致冷该太阳能电池片维持在一恒定温度；其中，S1、S2及S3该太阳能电池片是同时进行。

上述方法在进一步实施中，还包括以下技术特征：

所述光源为LED灯组。所述光源的光照强度为至少20个太阳光强，并产生大于250℃的辐射热。所述恒定温度为250℃。

所述致冷介质为一常温或低于常温的气体。所述低于常温的气体在光源与太阳能电池片之间形成冷房，进而接触太阳能电池片进行热交换。

或者说，所述低于常温的气体形成于太阳能电池片的底部，从而接触太阳能电池片进行热交换。