[发明专利]一种基于硅光电二极管的荧光检测电路在审
申请号: | 201610449675.3 | 申请日: | 2016-06-21 |
公开(公告)号: | CN107525787A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 何志杰 | 申请(专利权)人: | 何志杰 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 光电二极管 荧光 检测 电路 | ||
1.一种基于硅光电二极管的荧光检测电路,其特征是:所述的硅光电二极管的荧光检测电路采用的是SST89E516RD单片机控制,由LED驱动电路、探头电路、高频补偿电路组成。
2.根据权利要求1所述的一种基于硅光电二极管的荧光检测电路,其特征是:所述LED驱动电路选用运放OP-07接成同向比例放大电路,获得稳定负载驱动能力的同加上合理的偏置调节。
3.根据权利要求1所述的一种基于硅光电二极管的荧光检测电路,其特征是:所述的探头电路选用OPA129运放,探头放大电路为一个I-V变换器,且增益提供pA-mV的放大需求。
4.根据权利要求1所述的一种基于硅光电二极管的荧光检测电路,其特征是:所述的探头电路中,互阻增益的大小由反馈电阻Rf决定。
5.根据权利要求1所述的一种基于硅光电二极管的荧光检测电路,其特征是:所述探头电路中,A是运放的开环增益,Ri远小于硅PD的结电阻,Ri的减小使光电流信号完全流入探头电路。
6.根据权利要求1所述的一种基于硅光电二极管的荧光检测电路,其特征是:所述探头电路避免了信号的非正常衰减,同时降低了负载的量级,使硅PD的响应上升时间减少。
7.根据权利要求1所述的一种基于硅光电二极管的荧光检测电路,其特征是:所述高频补偿电路运放采用低噪声运放LF357, C为聚苯电容330nF, R为200欧电阻。
8.根据权利要求1所述的一种基于硅光电二极管的荧光检测电路,其特征是:所述高频补偿电路中,R4为可调电位器,高频补偿的直流增益为1,零点主要由R4决定。
9.根据权利要求1所述的一种基于硅光电二极管的荧光检测电路,其特征是:所述高频补偿电路中,极点RC被放到了频率轴的远端,可根据需要控制该点的位置,在获得足够带宽的同时保证系统的稳定性。
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