[发明专利]半可控圆筒型直线电磁阻尼器

权利要求书

1.半可控圆筒型直线电磁阻尼器，其特征在于，它包括初级(1)、次级(2)、不可控型三相整流桥(3)、二极管D1、电阻R、电容C和功率开关管S；

初级(1)包括导体环(1-1)、三相绕组(1-2)、初级导磁轭环(1-3)和初级套筒(1-4)，

次级(2)包括次级套筒(2-1)、永磁体(2-2)和极间铁心(2-3)，

初级(1)为圆筒型结构，由内至外依次为：导体环(1-1)、三相绕组(1-2)、初级导磁轭环(1-3)和初级套筒(1-4)，三相绕组(1-2)缠绕在导体环(1-1)上，且三相绕组(1-2)的三相电流输出端与不可控型三相整流桥(3)的三相电流输入端连接，

不可控型三相整流桥(3)正极电源输出端与二极管D1的阳极连接，二极管D1的阴极同时与功率开关管S的正极、电容C的一端和电阻R的一端连接，

不可控型三相整流桥(3)负极电源输出端同时与功率开关管S的负极、电容C的另一端和电阻R的另一端连接；

次级(2)为圆柱型结构，初级(1)套在次级(2)上，初级(1)和次级(2)同轴；

永磁体(2-2)为圆环或圆盘形结构，极间铁心(2-3)为圆环或圆盘形结构，

永磁体(2-2)和极间铁心(2-3)均位于次级套筒(2-1)内，且二者沿次级套筒(2-1)的轴向交替分布，永磁体(2-2)的充磁方向为轴向充磁，且相邻的两个永磁体(2-2)的充磁方向相反。

2.半可控圆筒型直线电磁阻尼器，其特征在于，它包括初级(1)、次级(2)、可控型三相整流桥(4)、电阻R和电容C；

初级(1)包括导体环(1-1)、三相绕组(1-2)、初级导磁轭环(1-3)和初级套筒(1-4)，

次级(2)包括次级套筒(2-1)、永磁体(2-2)和极间铁心(2-3)，

初级(1)为圆筒型结构，由内至外依次为：导体环(1-1)、三相绕组(1-2)、初级导磁轭环(1-3)和初级套筒(1-4)，三相绕组(1-2)缠绕在导体环(1-1)上，且三相绕组(1-2)的三相电流输出端与可控型三相整流桥(4)的三相电流输入端连接，

可控型三相整流桥(4)的直流输出端口同时并联电阻R和电容C；

次级(2)为圆柱型结构，初级(1)套在次级(2)上，初级(1)和次级(2)同轴；

永磁体(2-2)为圆环或圆盘形结构，极间铁心(2-3)为圆环或圆盘形结构，

永磁体(2-2)和极间铁心(2-3)均位于次级套筒(2-1)内，且二者沿次级套筒(2-1)的轴向交替分布，永磁体(2-2)的充磁方向为轴向充磁，且相邻的两个永磁体(2-2)的充磁方向相反。

3.根据权利要求1或2所述的半可控圆筒型直线电磁阻尼器，其特征在于，所述的永磁体(2-2)外径、极间铁心(2-3)外径和次级套筒(2-1)内径尺寸相同。

4.半可控圆筒型直线电磁阻尼器，其特征在于，它包括初级(1)、次级(2)、不可控型三相整流桥(3)、二极管D1、电阻R、电容C和功率开关管S；

初级(1)包括导体环(1-1)、三相绕组(1-2)、初级导磁轭环(1-3)和初级套筒(1-4)，

次级(2)包括次级套筒(2-1)、永磁体(2-2)、非导磁间隔环(2-4)和次级导磁轭环(2-5)，

初级(1)为圆筒型结构，由内至外依次为：导体环(1-1)、三相绕组(1-2)、初级导磁轭环(1-3)和初级套筒(1-4)，三相绕组(1-2)缠绕在导体环(1-1)上，且三相绕组(1-2)的三相电流输出端与不可控型三相整流桥(3)的三相电流输入端连接，

不可控型三相整流桥(3)正极电源输出端与二极管D1的阳极连接，二极管D1的阴极同时与功率开关管S的正极、电容C的一端和电阻R的一端连接，

不可控型三相整流桥(3)负极电源输出端同时与功率开关管S的负极、电容C的另一端和电阻R的另一端连接；

次级(2)为圆筒型结构，初级(1)套在次级(2)上，初级(1)和次级(2)同轴；

永磁体(2-2)圆环形结构，永磁体(2-2)和非导磁间隔环(2-4)均套在次级导磁轭环(2-5)上，且二者沿次级导磁轭环(2-5)轴向交替分布，

永磁体(2-2)的充磁方向为径向充磁，且相邻两个永磁体(2-2)充磁方向相反，

次级套筒(2-1)套在永磁体(2-2)和非导磁间隔环(2-4)外侧。