[发明专利]一种多路选择电路、静态随机存取存储器以及电子装置在审
| 申请号： | 201610398974.9 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107481754A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 孟焕;姜敏;李智;刘晓庆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选择 电路 静态 随机存取存储器 以及 电子 装置 | ||
1.一种用于静态随机存取存储器的多路选择电路，其特征在于，包括：
与所述多路选择电路相连接的第一位线和第二位线，其中所述第一位线和所述第二位线之间设置有至少一个存储单元；
以及一个位线电压保持电路，其设置为与所述第一位线和所述第二位线相连，在所述存储单元处于写模式的情况下，配置为保持所述第一位线或第二位线为高电源电压VDD。
2.根据权利要求1所述的多路选择电路，其特征在于，在所述存储单元处于写模式的情况下，所述位线电压保持电路基于所述第一位线和所述第二位线之间的电压差，输出电压调节信号给第一位线或第二位线。
3.根据权利要求1所述的多路选择电路，其特征在于，所述位线电压保持电路包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管。
4.根据权利要求3所述的选择电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管相同。
5.根据权利要求4所述的多路选择电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极共同连接到电源电压VDD，所述第一PMOS晶体管的栅极连接到所述第二位线和所述第二PMOS晶体管的漏极，所述第二PMOS晶体管的栅极连接到所述第一位线和所述第一PMOS晶体管的漏极。
6.根据权利要求5所述的多路选择电路，其特征在于，当所述第一位线电压下降，则所述第二PMOS晶体管打开，从而所述第二位线电压被抬高至高电源电压VDD，从而所述第一PMOS管关闭，从而进一步促使所述第一位线电压下降。
7.根据权利要求5所述的多路选择电路，其特征在于，当所述第二位线电压下降，则所述第一PMOS晶体管打开，从而所述第一位线电压被抬高至高电源电压VDD，从而所述第二PMOS管关闭，从而进一步促使所述第二位线电压下降。
8.一种静态随机存取存储器，其特征在于，包括权利要求1-7之一所述的多路选择电路。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的静态随机存取存储器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610398974.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储系统
- 下一篇：一种多态磁性存储器的位元结构
