[发明专利]一种聚变‑裂变混合堆聚变靶室产物的处理装置

权利要求书

1.一种聚变-裂变混合堆聚变靶室产物的处理装置，其特征在于，所述的装置包括聚变靶室、冷凝-气液分离单元、低温吸附单元、熔融-鼓泡单元、常温吸附单元、金属还原单元、钯膜分离单元、储气罐、高温过滤-浇注成型单元，聚变靶室中发生聚变反应以后，生成的产物分成A路、B路，A路进入冷凝-气液分离单元后分成A1路、A2路，A1路进入金属还原单元后与氢同位素分离系统相连，A2路通过低温吸附单元后分别与废气除氚系统、聚变靶室、金属还原单元相连；B路进入熔融-鼓泡单元后分成B1路、B2路，B1路经过常温吸附单元后分成B11路、B12路，B11路进入金属还原单元后与氢同位素分离系统相连，B12路进入钯膜分离单元后分别与氢同位素分离系统、储气罐相连，储气罐与熔融-鼓泡单元相连，B2路与高温过滤-浇注成型单元相连；

所述的聚变靶室中选用含氧化物的金属材料作为可回收传输线，含氧化物的金属材料为CuO/Cu、SnO₂/Sn、TiO₂/Ti、Fe₂O₃/Fe中的一种；

所述的金属还原单元中的金属为U、Mg、Fe、Zn金属或Zr基合金中的一种，还原温度范围为400℃~550℃；

所述的钯膜分离单元中的钯膜为Pd/Ag、Pd/Y、Pd/Ag/Au、Pd/Ag/Au/Y、Pd/Ag/Au/Ni合金膜中的一种，工作温度范围为350℃~480℃；

所述的高温过滤-浇注成型单元中高温过滤的温度范围为800℃-1800℃。

2.根据权利要求1所述的聚变-裂变混合堆聚变靶室产物的处理装置，其特征在于，所述的冷凝-气液分离单元中冷凝的温度范围为0℃~5℃。

3.根据权利要求1所述的聚变-裂变混合堆聚变靶室产物的处理装置，其特征在于，所述的低温吸附单元中填充的吸附剂为分子筛、硅胶、活性炭中的一种，解吸温度范围为-196℃~10℃。

4.根据权利要求1所述的聚变-裂变混合堆聚变靶室产物的处理装置，其特征在于，所述的熔融-鼓泡单元的温度范围为800℃-1800℃。

5.根据权利要求1所述的聚变-裂变混合堆聚变靶室产物的处理装置，其特征在于，所述的常温吸附单元中填充的吸附剂为分子筛、硅胶、活性炭中的一种，吸附温度范围为0℃~30℃。

6.根据权利要求1所述的聚变-裂变混合堆聚变靶室产物的处理装置，其特征在于，所述的储气罐中的气体为H₂/Ar混合气，其中H₂的体积分数范围为1%-10%。