[发明专利]像素内存储单元、像素内数据存储方法以及像素阵列有效

专利信息
申请号: 201610330824.4 申请日: 2016-05-18
公开(公告)号: CN106297686B 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 谭文;陈佳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 吕晓章,王娟
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 存储 单元 数据 方法 以及 阵列
【权利要求书】:

1.一种像素内存储单元,包括第一数据锁存电路、第二数据锁存电路和驱动电路,其特征在于:

所述像素内存储单元还包括数据输入电路和驱动控制电路,其中,

所述数据输入电路连接到数据线(DATA)、第一控制信号端(S1)、第一数据锁存端(IN1)以及第二数据锁存端(IN2),并且被配置为在第一控制信号端的第一控制信号处于其有效电平时将所述数据线上的数据电压(Vdata)读取到所述第一数据锁存端(IN1)和所述第二数据锁存端(IN2)上;

所述第一数据锁存电路连接到所述第一数据锁存端(IN1),并且被配置为保持所述第一数据锁存端(IN1)的电平;

所述第二数据锁存电路连接到所述第二数据锁存端(IN2),并且被配置为保持所述第二数据锁存端(IN2)的电平;

所述驱动控制电路连接到所述第一数据锁存端(IN1)以及驱动节点(M),并且被配置为使所述驱动节点(M)的电平与所述第一数据锁存端(IN1)的电平相反;以及

所述驱动电路连接到驱动节点(M)、所述第二数据锁存端(IN2)以及输出端(OUT),并且被配置为在所述驱动节点(M)处于其有效电平时将第三电源电压端的第三电源电压输出至所述输出端(OUT)并且在所述第二数据锁存端(IN2)处于其有效电平时将第四电源电压端的第四电源电压输出至所述输出端(OUT)。

2.如权利要求1所述的像素内存储单元,其中,

所述第一数据锁存电路还连接到所述驱动节点(M)和第二控制信号端(S2),并且被配置为在所述第二控制信号端(S2)处于其有效电平时使所述第一数据锁存端(IN1)的电平与所述驱动节点(M)的电平相反;以及

所述第二数据锁存电路还连接到所述输出端(OUT)以及所述第二控制信号端(S2),并且还被配置为在所述第二控制信号端(S2)处于其有效电平时使所述第二数据锁存端(IN2)的电平与所述输出端(OUT)的电平相反。

3.如权利要求2所述的像素内存储单元,其中,所述第一数据锁存电路包括:

第一保持晶体管(T10),其栅极连接所述第二控制信号端(S2)、第一极连接所述第一数据锁存端(IN1)、以及第二极连接第一节点(N);

第一节点的第一控制晶体管(T8),其栅极和第一极连接第一电源电压端,第二极连接所述第一节点(N);以及

第一节点的第二控制晶体管(T9),其栅极连接所述驱动节点(M)、第一极连接所述第一节点(N)以及第二极连接第二电源电压端。

4.如权利要求3所述的像素内存储单元,其中,所述第二数据锁存电路包括:

第二保持晶体管(T5),其栅极连接所述第二控制信号端(S2)、第一极连接所述第二数据锁存端(IN2)、以及第二极连接第二节点(Q);

第二节点的第一控制晶体管(T3),其栅极和第一极连接第三电源电压端,第二极连接所述第二节点(Q);

第二节点的第二控制晶体管(T4),其栅极连接所述输出端(OUT)、第一极连接所述第二节点(Q)以及第二极连接第四电源电压端。

5.如权利要求3所述的像素内存储单元,其中,所述第二数据锁存电路还连接到所述第一节点(N),并且所述第二数据锁存电路包括:

第二保持晶体管(T5),其栅极连接所述第二控制信号端(S2)、第一极连接所述第二数据锁存端(IN2)、以及第二极连接第二节点(Q);

第二节点的第一控制晶体管(T3),其栅极连接所述第一节点(N)、第一极连接第三电源电压端,第二极连接所述第二节点(Q);

第二节点的第二控制晶体管(T4),其栅极连接所述输出端(OUT)、第一极连接所述第二节点(Q)以及第二极连接第四电源电压端。

6.如权利要求4或5所述的像素内存储单元,其中,所述数据输入电路包括:

第一输入晶体管(T11),其栅极连接所述第一控制信号端(S1)、第一极连接所述数据线(DATA)、以及第二极连接所述第一数据锁存端(IN1);以及

第二输入晶体管(T12),其栅极连接所述第一控制信号端(S1)、第一极连接所述数据线(DATA)、以及第二极连接所述第二数据锁存端(IN2)。

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