[发明专利]一种复合传感器及制造方法

权利要求书

1.一种复合传感器，其特征在于，包括，

硅衬底，形成于所述硅衬底内的至少一个第一预定空腔及其上方的悬空硅膜、至少一个第二预定空腔及其上方的悬空硅膜，以及位于所述至少一个第一预定空腔上方的悬空硅膜中的至少一个第三预定空腔及其上方的悬空硅膜；

在所述硅衬底表面预定位置形成有若干个用以分别形成加速度传感器、压力传感器、温度传感器的半导体掺杂电阻，所述半导体掺杂电阻与导电线电连接；

于所述至少一个第一预定空腔上方的悬空硅膜中形成第一释放槽、第一连接件，所述第一释放槽避开所述半导体掺杂电阻设置；

于所述至少一个第三预定空腔上方的悬空硅膜中形成第二释放槽、限位挡板，并形成第二连接件；所述第一释放槽结合所述第二释放槽形成一悬空释放结构；其中，所述限位挡板一端连接硅衬底，另一端自由悬空，所述第一连接件、第二连接件一端连接所述硅衬底，另一端与所述第一预定空腔上方的悬空硅膜连接。

2.根据权利要求1所述的复合传感器，其特征在于，还包括，

第一半导体掩膜层，设置于所述硅衬底表面，所述第一半导体掩膜层上形成有接触孔，所述导电线通过所述接触孔与所述半导体掺杂电阻电连接；

钝化层，设置于所述第一半导体掩膜层上方。

3.根据权利要求2所述的复合传感器，其特征在于，还包括：

质量块，形成在于所述钝化层上表面且位于所述悬空释放结构上方。

4.根据权利要求1所述的复合传感器，其特征在于，还包括：

第二半导体掩膜层，设置于所述至少一个第三预定空腔内表面。

5.根据权利要求1所述的复合传感器，其特征在于，还包括：

保护盖板，位于所述悬空释放结构上方。

6.一种复合传感器的制造方法，其特征在于，

提供具有至少一个第一预制空腔及其上方的悬空硅膜和/或至少一个第二预制空腔及其上方的悬空硅膜的硅衬底；

于所述至少一个第一预制空腔上的悬空硅膜中形成至少一个第三预定空腔；

于所述硅衬底表面形成有若干个用以形成压力传感器、加速度传感器、温度传感器的半导体掺杂电阻，所述半导体掺杂电阻与导电线电连接；

于所述至少一个第一预定空腔上方的悬空硅膜中形成第一释放槽、第一连接件，所述第一释放槽避开所述半导体掺杂电阻设置，

于所述至少一个第三预定空腔上方的悬空硅膜中形成第二释放槽、限位挡板，并形成第二连接件；以使所述第一释放槽结合所述第二释放槽形成一悬空释放结构；

其中，所述限位挡板一端连接所述硅衬底，另一端自由悬空，所述第一连接件、第二连接件一端连接所述硅衬底，另一端与所述第一预定空腔上方的悬空硅膜连接。

7.根据权利要求6所述的复合传感器的制造方法，其特征在于，还包括，

于所述硅衬底表面形成第一半导体掩膜层，

于所述第一半导体掩膜层上形成有接触孔，所述导电线通过所述接触孔与所述半导体掺杂电阻电连接；

于所述第一半导体掩膜层上方形成钝化层。

8.根据权利要求7所述的复合传感器的制造方法，其特征在于，还包括，

所述钝化层上表面形成一质量块以使所述质量块位于所述悬空结构上方。

9.根据权利要求6所述的复合传感器的制造方法，其特征在于，还包括：

于所述至少一个第三预定空腔内表面形成第二半导体掩膜层。

10.根据权利要求6所述的一种复合传感器的制造方法，其特征在于，还包括：于所述悬空释放结构上方形成一保护盖板。

11.根据权利要求6所述的复合传感器的制造方法，其特征在于，其中制成所述至少一个第一预制空腔、和/或所述至少一个第二预制空腔的具体步骤包括：

于所述硅衬底表面形成若干个第一类图形；

刻蚀所述第一类图形以形成第一类图形沟槽；

于高温无氧环境下做退火处理以在硅衬底中形成所述至少一个第一预制空腔、和/或所述至少一个第二预制空腔。