[发明专利]具有光感测电路的面板结构在审
申请号: | 201610311466.2 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN105759475A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 林志隆;邓名扬;赖柏君;尤建盛 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1333;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;许志影 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有光 电路 面板 结构 | ||
技术领域
本发明关于一种具有光感测电路的面板结构,特别是一种能降低寄生电容的耦合效应的具有光感测电路的面板结构。
背景技术
反射式或半穿反薄膜晶体管液晶显示器具有光感测器,在将光感测器整合于玻璃基板上时,为了降低对像素开口率的影响,一般来说会将光感测器设置于反射区金属的下方,然而这种制程结构会形成像素电路的电压变动端与光感测器的电压变动端之间的寄生电容,使得像素电路与光感测器相互影响。举例来说,当数据电压被写入像素电路时,会通过寄生电容的耦合效应影响光感测器的电压变动端,造成光感测电压读值的错误,使得光感测电路的光源检测受到影响。相反地,当光感测器感测到光源并产生对应的漏电流使得光感测电压产生变化时,会因为寄生电容的耦合效应影响像素电路的电压变动端,使得液晶产生错误的灰阶值,进而使亮度显示发生异常而影响画面的品质。
发明内容
本发明提供一种具有光感测电路的面板结构,可以降低像素电路与光感测器之间的寄生电容耦合效应。
本发明的一实施例提供一种具有光感测电路的面板结构,包含基板、导电层、第一导电部,以及第二导电部。导电层用以接收像素电压,第一导电部用以承载光感测电压,第二导电部被设于导电层与第一导电部之间,第二导电部耦接第一电压源,第一电压源用以提供第一定电压。导电层、第一导电部与第二导电部被设于基板上。
依据本发明的另一实施例提供一种具有光感测电路的面板结构,包含基板、导电层、第一导电部、第二导电部以及第三导电部。导电层用以接收像素电压。第一导电部被直接设于基板上并耦接第一电压源,第一电压源用以提供第一定电压。第二导电部,用以承载光感测电压,第二导电部被直接设置于第一导电部上的第一绝缘层。第三导电部被设置于导电层与第二导电部之间,并且被直接设置于第二导电部上的第二绝缘层,第三导电部耦接第二电压源,第二电压源用以提供一第二定电压。
综上所述,本发明提供的具有光感测电路的面板结构藉由将具有定电压的导电部设置于接收像素电压的导电层与承载光感测电压的导电部之间,进而降低接收像素电压的导电层与承载光感测电压的导电部之间的寄生电容的耦合效应。
以上的关于本揭露内容的说明及以下的实施方式的说明用以示范与解释本发明的精神与原理,并且提供本发明的专利申请范围更进一步的解释。
附图说明
图1为根据本发明的一实施例所绘示的具有光感测电路的面板结构的剖面图。
图2A为根据本发明的一实施例所绘示的具有光感测电路的面板结构的等效电路图。
图2B为依据本发明的一实施例所绘示的具有光感测电路的面板结构的等效电路图。
图3为根据本发明的一实施例所绘示的具有光感测电路的面板结构的俯视示意图。
图4A~4C为依据本发明的一实施例所绘示的第一导电部P1与第二导电部P2的俯视示意图。
图5为根据本发明的一实施例所绘示的具有光感测电路的面板结构的剖面图。
图6为根据本发明的一实施例所绘示的具有光感测电路的面板结构的剖面图。
其中,附图标记:
100:像素电路
200:光感测电路
DL:数据线
GL:扫描线
E1~E3:电极
SUB:基板
CL:导电层
C1:电容
CLC:液晶电容
CST:储存电容
P1:第一导电部
P2:第二导电部
P3:第三导电部
TP:晶体管
TP1~TP4:光感测晶体管
TSW:开关晶体管
Vx、VSH:定电压
Va:光感测电压
VP:像素电压
Vcom:共通参考电压
A、B:区域
I1:第一绝缘层
I2:第二绝缘层
CH:接触孔
GN、SN、GTP:电压
OUT:输出端
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610311466.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。