[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201610307720.1 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN107369750A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 王慧绮 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本发明公开一种显示装置,包括:基板;及发光二极管,设于基板上,其中发光二极管包括:第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层,发光层设置于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间,且第二导电型半导体层邻近基板,其中第一导电型半导体层包括主体部,反射层设于主体部的侧边上,主体部具有远离发光层的第一表面以及邻近发光层的第二表面,且第二导电型半导体层具有邻近发光层的第三表面以及远离发光层的第四表面,其中第一表面的宽度、发光层的宽度、由第一表面至第四表面的距离及由第一表面至发光层的距离具有特定的关系。
技术领域
本发明涉及显示装置,且特别是涉及一种具有发光二极管芯片的显示装置。
背景技术
随着数字科技的发展,显示装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中,例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、移动电话、智慧型手机等现代化资讯设备,且此显示装置不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此显示装置包括发光二极管显示装置。
发光二极管(LEDs)利用p-n接面中的电子-空穴对的再结合(recombination)来产生电磁辐射(例如光)。在例如GaAs或GaN的直接带隙材料(direct band gap material)形成的顺向偏压的P-N接面中,注入空乏区中的电子-空穴对的再结合产生电磁辐射。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区,且具有不同带隙的材料会形成不同颜色的发光二极管。
在现今发光二极管显示装置产业皆朝大量生产的趋势迈进的情况下,任何发光二极管显示装置的生产成本的减少皆可带来巨大的经济效益。然而,目前的发光二极管显示装置并非各方面皆令人满意。例如,当需要调整发光二极管显示装置的发光视角以及发光光型时,需要于出光面上设置一额外的第二棱镜(Second Lens)层设计,如此大幅增加了制作工艺成本。
因此,业界仍须一种可自由调控发光视角以及发光光型,或是可以改善出光效率的显示装置。
发明内容
本发明提供一种显示装置,包括:基板;及发光二极管,设于基板上,其中发光二极管包括:第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层,发光层设置于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间,且第二导电型半导体层邻近基板,其中第一导电型半导体层包括主体部,反射层设于主体部的侧边上,主体部具有远离发光层的第一表面以及邻近发光层的第二表面,且第二导电型半导体层具有邻近发光层的第三表面以及远离发光层的第四表面,其中第一表面的宽度、发光层的宽度、由第一表面至第四表面的距离及由第一表面至发光层的距离具有特定的关系。
为让本发明的特征、和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一些实施例的显示装置的剖视图;
图2A为本发明一些实施例的反射层的剖视图;
图2B为本发明一些实施例的反射层的剖视图;
图3为本发明一些实施例的堆叠结构中特定宽度及距离的比值与半视角的关系图;
图4A为本发明一些实施例的堆叠结构的示意图;
图4B为本发明一些实施例的堆叠结构的底面宽度与半视角的关系图;
图4C为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图;
图4D为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图;
图4E为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图;
图4F为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图;
图4G为本发明一些实施例的出射光于视角上的分布图;
图5A为本发明一些实施例的堆叠结构的示意图;
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