[发明专利]采用环形束冷阴极的X波段高阻抗相对论速调管放大器有效

专利信息
申请号: 201610284524.7 申请日: 2016-05-03
公开(公告)号: CN105810537B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 朱丹妮;张军;钟辉煌;巨金川;李伟;杨建华;袁成卫;靳振兴;张建德 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: H01J23/04 分类号: H01J23/04;H01J23/00;H01J25/10
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司43113 代理人: 马强
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 采用 环形 阴极 波段 阻抗 相对论 速调管 放大器
【权利要求书】:

1.一种采用环形束冷阴极的X波段高阻抗相对论速调管放大器,其特征在于:所述高阻抗相对论速调管放大器由阴极(1)、阴极屏蔽环(2)、阳极外筒(3)、高频信号注入口(4)、注入波导(5)、谐振腔(6)、漂移管(7)、同轴提取结构(8)、收集极(9)、支撑杆(10)、永磁磁场(11)组成;所述谐振腔(6)由输入腔(6a)、增益腔(6b)、末前腔(6c)、输出腔(6d)组成,所述漂移管(7)由一号漂移管(7a)、二号漂移管(7b)、三号漂移管(7c)、四号漂移管(7d)组成,所述高频信号注入口(4)、注入波导(5)、谐振腔(6)、漂移管(7)、同轴提取结构(8)、收集极(9)、支撑杆(10)组成高频结构,整个放大器关于中心轴线旋转对称;永磁磁场(11)安装在阳极外筒(3)和高频结构的外围空间区域,阴极(1)左端外接安装在脉冲功率源内导体上的阴极座,阳极外筒(3)左端外接脉冲功率源的外导体;

所述阴极(1)为一薄壁圆筒,壁厚为1mm,外半径R2等于发射电子束的外半径,内半径R3=R2-1mm;阴极屏蔽环(2)为一紧密嵌套在阴极外壁上的厚壁圆环筒,所述圆环筒的右端倒圆角,倒角半径等于圆环筒的壁厚r;阴极(1)伸出阴极屏蔽环(2)右端面的长度为D1

所述阳极外筒(3)为一内半径为R1的圆柱筒,其左端开口,开口半径为R1,右端采用一块中心开有半径为R4的圆孔的圆环形盖板封闭,右端内侧壁与阴极(1)右端的轴向间距为D2

所述漂移管(7)由四段内表面光滑的圆筒组成,从左到右依次为一号漂移管(7a)、二号漂移管(7b)、三号漂移管(7c)、四号漂移管(7d),其中一号漂移管(7a)、二号漂移管(7b)、三号漂移管(7c)的内半径均为R4,四号漂移管(7d)的内半径为R9,满足R4<R9,四段漂移管的长度分别为L1、L2、L3、L4

所述谐振腔(6)由输入腔(6a)、增益腔(6b)、末前腔(6c)和输出腔(6d)共四个药盒型谐振腔组成,内半径依次为R5、R6、R7、R8,宽度分别是D3、D4、D5、D6;所述输入腔(6a)位于一号漂移管(7a)和二号漂移管(7b)之间、增益腔(6b)位于二号漂移管(7b)与三号漂移管(7c)之间、末前腔(6c)位于三号漂移管(7c)与四号漂移管(7d)之间、输出腔(6d)位于四号漂移管(7d)与收集极(10)之间,其中输入腔(7a)与注入波导(5)连接,种子高频微波信号通过注入波导(5)上开有的高频信号注入口(4)输入注入波导(5),并在谐振腔内激发出高频电场对电子束产生调制,所述注入波导(5)及高频信号注入口的宽度均为h;

所述同轴提取结构(8)由一段内半径为R8的圆柱形外筒(8a)、一段内半径为R13的圆柱形外筒(8c)和一段圆台外筒(8b)及提取块(8d)组成,所述圆台外筒(8b)为内半径为R8的圆柱形外筒(8a)及内半径为R13的圆柱形外筒(8c)之间的连接段,圆台外筒(8b)的顶面半径为R8,底面半径为R13,倾斜角为θ,满足R8<R13,0°<θ<90°;所述提取块(8d)为一宽度为D7、外半径为R10、内半径为R12的圆环,嵌套安装在收集极(9)上,提取块(8d)的左侧端面距离收集极(9)左侧端面的距离为L5

收集极(9)为一半径为R12的圆柱体,同时作为同轴提取结构的内导体,所述收集极(9)内部挖空,其中左端被挖去一个长度为L6、半径为R9的圆柱体,接着以长度为L6、半径为R9的圆柱体的右侧端面为顶面,以倾斜角α从半径R9渐变至半径为R11,以半径R11处所在平面为底面,向右挖出一个圆台,最后再以半径R11处所在平面为底面,向右挖出一个顶部倾斜角为β的圆锥,满足R9<R11,0°<α<90°,0°<β<90°;

所述收集极(9)与圆柱形外筒(8a)构成同轴提取结构的第一个同轴输出波导,所述同轴输 出波导与输出腔(6d)相连;所述收集极(9)与圆柱形外筒(8c)构成第二个同轴输出波导,第二个同轴输出波导同时作为微波输出口;所述收集极(9)通过一号支撑杆(10a)和二号支撑杆(10b)支撑固定在圆柱形外筒(8c)内壁,一号支撑杆(10a)距离提取块(8d)右侧端面的距离为L7,二号支撑杆(10b)与一号支撑杆(10a)之间的距离为L8,L8约为RKA工作波长λ的四分之一;

永磁磁场(11)采用永磁体材料构成空心圆柱状环绕在阳极外筒(3)和高频结构的外围空间区域。

2.根据权利要求1所述采用环形束冷阴极的X波段高阻抗相对论速调管放大器,其特征在于:所述高阻抗相对论速调管放大器各结构参数如下,R1=70mm,R2=3mm,R3=2mm,R4=4.6mm,R5=10.7mm,R6=11mm,R7=10.4mm,R8=11mm,R9=4.8mm,R10=12mm,R11=8mm,R12=9mm,R13=14mm,D1=1mm,D2=23mm,D3=6.8mm,D4=3.6mm,D5=7.7mm,D6=10mm,D7=5mm,L1=60mm,L2=140mm,L3=151mm,L4=42mm,L5=75mm,L6=70mm,L7=34mm,L8=6.6mm,r=12mm,h=0.3mm,θ=20°,α=1.2°,β=34°。

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