[发明专利]一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其特征在于，所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度；

其中，所述掺杂薄膜硅层经过高温退火处理成为磷掺杂n型多晶硅层；

所述高温处理温度为750～950℃；

所述硅片为晶体硅；

所述钝化隧穿层为氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度是梯度变化的，所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度从邻近钝化隧穿层一侧向远离钝化隧穿层一侧梯度递增。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于所述硅片为n型硅片，所述掺杂薄膜硅层为磷掺杂n型薄膜硅层，所述磷掺杂n型薄膜硅层邻近所述钝化隧穿层一侧2nm深度范围内的磷掺杂浓度为0～1e¹⁶cm^-3。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于所述磷掺杂n型薄膜硅层远离所述钝化隧穿层一侧2nm深度范围内的磷掺杂浓度为1e¹⁹～1e²²cm^-3。

5.根据权利要求1至4任一项所述的太阳能电池，其特征在于所述掺杂薄膜硅层的厚度为1-80nm。

6.一种如权利要求1至5任意一项所述的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其特征在于，所述掺杂薄膜硅层的制备方法包括以下步骤：在钝化隧穿层远离硅片的一侧生成2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层，所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层的掺杂浓度低于远离钝化隧穿层的掺杂浓度，之后将得到的产品进行退火处理，得到掺杂浓度不均匀的掺杂薄膜硅层，所述掺杂薄膜硅层为磷掺杂n型多晶硅层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层的层数是2～5。

8.一种如权利要求1至5任意一项所述的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其特征在于，所述掺杂薄膜硅层的制备方法包括以下步骤：在钝化隧穿层远离硅片的一侧通过化学气相沉积法制备掺杂薄膜硅层，通过控制通入的反应气体的流量以及比例实现制备的掺杂薄膜硅层中掺杂浓度的不均匀，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度，之后将得到的产品进行退火处理，得到掺杂浓度不均匀的掺杂薄膜硅层，所述掺杂薄膜硅层磷掺杂n型多晶硅层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于所述反应气体为硅烷和磷烷，所述硅烷和磷烷的流量比SiH₄:PH₃＝1:0.5～1:0.01。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于所述反应气体通过氢气稀释，所述硅烷和氢气的流量比SiH₄:H₂＝1:0.1～1:200。