[发明专利]光调变器

权利要求书

1.一种光调变器，其特征在于，包含：

一基材，具有一主要表面以及垂直该主要表面的一第一方向；

一第一半导体结构，具有第一导电类型，且位于该主要表面上；

一第二半导体结构，具有第二导电类型，且位于该主要表面上，其中该第一半导体结构与该第二半导体结构在该第一方向上不重叠；以及

一介电结构，位于该主要表面上，并从该主要表面沿该第一方向向上延伸，且该介电结构夹置在该第一半导体结构以及该第二半导体结构之间；

其中该第一半导体结构、该第二半导体结构、以及该介电结构形成一光波导结构，提供一近似椭圆或圆形的光通道。

2.如权利要求1所述的光调变器，其特征在于，该第一半导体结构及该第二半导体结构分别具有一第一顶面以及一第二顶面，且该介电结构不覆盖该第一顶面和该第二顶面。

3.如权利要求2所述的光调变器，其特征在于，该第一半导体结构的该第一顶面在相同的一第一高度横向延伸至接触该介电结构。

4.如权利要求3所述的光调变器，其特征在于，该第二半导体结构的该第二顶面在相同的一第二高度横向延伸至接触该介电结构。

5.如权利要求4所述的光调变器，其特征在于，该第一高度与该第二高度相同。

6.如权利要求1所述的光调变器，其特征在于，该介电结构隔离该第一半导体结构与该第二半导体结构，使该第一半导体结构与该第二半导体结构不直接接触。

7.如权利要求1所述的光调变器，其特征在于，该介电结构具有一高度 及一宽度，且该高度大于该宽度。

8.如权利要求7所述的光调变器，其特征在于，该介电结构的该高度等于该第一半导体结构的一厚度及该第二半导体结构的一厚度。

9.如权利要求7所述的光调变器，其特征在于，该高度对该宽度的比值为10至500。

10.如权利要求1所述的光调变器，其特征在于，该第一半导体结构以及该第二半导体结构分别具有一第一宽度及一第二宽度，且该第一宽度等于该第二宽度。

11.如权利要求1所述的光调变器，其特征在于，该第一半导体结构包含一第一掺杂部分以及一第二掺杂部分，该第一掺杂部分接触该介电结构，且位于该介电结构与该第二掺杂部分之间，其中该第一掺杂部分的一掺杂浓度小于该第二掺杂部分的一掺杂浓度。

12.如权利要求11所述的光调变器，其特征在于，该第一掺杂部分的一高度大于该第二掺杂部分的一高度。

13.如权利要求11所述的光调变器，其特征在于，该第一掺杂部分包含一竖立部以及一延伸部，该竖立部接触该介电结构，该延伸部由该竖立部横向延伸至该第二掺杂部分，且该竖立部的一高度大于该延伸部的一高度。

14.如权利要求13所述的光调变器，其特征在于，该竖立部的该高度等于该介电结构的一高度，且该延伸部的该高度等于该第二掺杂部分的一高度。

15.如权利要求11所述的光调变器，其特征在于，该第二半导体结构包含一第四掺杂部分以及一第五掺杂部分，该第四掺杂部分接触该介电结构，且位于该介电结构与该第五掺杂部分之间，其中该第四掺杂部分的一掺杂浓度小 于该第五掺杂部分的一掺杂浓度。

16.如权利要求15所述的光调变器，其特征在于，该第四掺杂部分的一高度大于该第五掺杂部分的一高度。

17.如权利要求15所述的光调变器，其特征在于，该第四掺杂部分包含一竖立部以及一延伸部，该竖立部接触该介电结构，该延伸部由该竖立部横向延伸至该第五掺杂部分，且该竖立部的一高度大于该延伸部的一高度。

18.如权利要求17所述的光调变器，其特征在于，该竖立部的该高度等于该介电结构的一高度，且该延伸部的该高度等于该第五掺杂部分的一高度。