[发明专利]一种改善光刻胶封装工艺的方法及光刻机系统

权利要求书

1.一种改善光刻胶封装工艺的光刻机系统，其特征在于，包括

一照明系统，用于提供照明光；

一掩膜台，用于承载掩膜版；

一投影物镜，用于收集透过所述掩膜版的照明光；

一工作台，用于承载基板，在扫描曝光过程中，所述照明系统提供的照明光，照射到所述掩膜版上，并将设置在所述掩膜版上的图案，经过所述投影物镜，转印到所述基板上；

其特征在于，在所述掩膜版与所述照明系统之间设置空间光调制器，用于根据所述光刻机系统的投影成像的波像差数据分布得到需要修整光强分布的部位和数值，改变所述照明光透过所述掩膜版时的光强透过率。

2.如权利要求1所述的改善光刻胶封装工艺的光刻机系统，其特征在于，所述空间光调制器为液晶光阀。

3.一种改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：提供一掩膜版以及光刻机曝光系统的曝光场内的波像差分布图；

步骤S2：结合所述掩膜版的图形，仿真计算得出透过所述掩膜版图形后的空间光强分布图；

步骤S3：根据所述光强分布图，确定需要修改照明光透过掩膜版时的光强透过率的部位以及数值的大小；

步骤S4：在曝光光路中安装空间光调制器，并调整所述空间光调制器的工作参数，修改掩膜版上与所述空间光调制器对应的之处的光强透过率。

4.如权利要求3所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，还包括步骤S5：进行曝光实验并观察实验得到的光刻胶的形貌、计算透过所述掩膜版图形后的空间光强分布图。

5.如权利要求4所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，还包括步骤S6：调整所述空间光调制器的工作参数，并重复步骤S5直至得出光强透过率和所述空间光调制器的工作参数的关系，计算出最优化的光强透过率分布方案。

6.如权利要求3所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，步骤S1中提供的光刻机曝光系统的波像差分布图为离线测量得到的光刻机曝光时曝光场内波像差分布图。

7.如权利要求3所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，步骤S2中将所述波像差分布图中每个场点的波像差数据、所使用的光刻胶参数和光刻机曝光时的参数输入仿真软件中，计算得到透过所述掩膜版图形后的空间光强分布图。

8.如权利要求3所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，步骤S4中在曝光光路中安装所述空间光调制器为照明系统和掩膜台之间安装所述空间光调制器。