[发明专利]一种太阳能电池的金属化方法和电池及其组件、系统有效
申请号: | 201610184767.3 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN105870209B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 林建伟;季根华;刘志锋;孙玉海;张育政 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/18;H01B1/02 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 金属化 方法 电池 及其 组件 系统 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池的金属化方法和电池及其组件、系统。
背景技术
太阳能电池是一种能将太阳能转化为电能的半导体器件。金属化是太阳能电池生产工序中一个关键步骤,光生载流子必须通过金属化形成的导电电极才能获得有效收集。目前,量产太阳能电池中最常用的金属化方法是丝网印刷金属浆料法,通过印刷银浆或掺铝银浆,经过高温烧结过程,形成具备电学接触、电学传导、焊接互联等功能的金属化。为了形成良好的欧姆接触以及兼顾可焊性,晶体硅太阳能电池的正表面一般印刷银浆或掺铝银浆,但银浆或掺铝银浆的价格一般都较为昂贵,导致含银浆料在太阳能电池制造成本中的占比居高不下。因而寻找一种可以降低含银浆料使用量、同时又能满足欧姆接触和可焊性要求的正面金属化方法成为减少太阳能电池生产成本的一项关键工作。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种低成本的太阳能电池的金属化方法和电池及其组件、系统。所述的太阳能电池的金属化方法可以显著地降低含银浆料的使用量,从而降低太阳能电池的生产成本。
本发明提供的一种太阳能电池的金属化方法,其技术方案为:
一种太阳能电池的金属化方法,包括以下步骤:
(1)、印刷制备太阳能电池基体背表面的电极,在太阳能电池基体的前表面使用银浆或掺铝银浆印刷主栅和分段副栅,然后进行烧结;
(2)、将烧结后的太阳能电池基体置于印刷机中,在所述分段副栅和主栅上印刷热敏导电层;
(3)、使用张拉装置在热敏导电层上铺设镀有热敏导电材料的导电线,将张拉好导电线的太阳能电池基体进行加热,使得镀有热敏导电材料的导电线、热敏导电层、分段副栅和主栅四者形成欧姆接触;
(4)、切除边缘多余的导电线,得到太阳能电池。
其中,所述热敏导电层是锡膏,所述镀有热敏导电材料的导电线为锡包铜线、锡包铝线或锡包钢线中的任一种。
其中,所述锡膏含有锡、锡铅合金、锡铋合金或锡铅银合金中的任一种。
其中,所述分段副栅的形状是非连续的圆点或者是非连续的线条。
其中,所述非连续圆点的直径为30-300微米,所述非连续线条的长度为40-300微米,所述非连续线条的宽度为40-300微米,所述导电线的直径为40-80微米;非连续的线条垂直于主栅、平行主栅或者与主栅具有角度。
其中,步骤(1)中烧结的峰值温度为850-950℃。
其中,步骤(3)中的加热方式采用红外加热的方式,回流峰值温度为183-250摄氏度。
其中,步骤(4)中切除边缘多余的导电线的方法是采用激光法或电弧法。
其中,所述太阳能电池基体是P型太阳能电池基体,所述P型太阳能电池基体的背表面的金属化方法为使用银浆印刷背面主栅电极并烘干,然后使用铝浆印刷背面铝电极并烘干。
其中,对太阳能电池进行金属化方法之前还包括以下步骤:
S1P、选择P型太阳能电池基体,并对P型太阳能电池基体的表面作制绒处理;P型太阳能电池基体的电阻率为0.5~15Ω·cm;
S2P、将步骤S1P处理后的P型太阳能电池基体放入工业用扩散炉中进行磷扩散,磷源采用三氯氧磷,扩散温度为800-900℃,时间为60-120分钟;磷扩散后的方阻值为50-150Ω/sqr;
S3P、将磷扩散后的P型太阳能电池基体放入刻蚀清洗机中,去除背面的磷扩散层和正面的磷硅玻璃层;
S4P、将步骤S3P处理后的P型太阳能电池基体放入PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备中,在正表面镀上氮化硅层。
其中,所述太阳能电池基体是N型太阳能电池基体,所述N型太阳能电池基体背表面的金属化方法为在背表面使用银浆印刷电极并进行烘干。
其中,对太阳能电池进行金属化方法之前还包括以下步骤:
S1N、选择N型太阳能电池基体,并对N型太阳能电池基体的前表面作制绒处理;N型太阳能电池基体的电阻率为0.5~15Ω·cm;
S2N、将步骤S1N处理后的N型太阳能电池基体放入工业用扩散炉中对制绒面进行硼扩散,硼源采用三溴化硼,扩散温度为920-1000℃,时间为60-180分钟;硼扩散后的方阻值为40-100Ω/sqr;
S3N、将硼扩散后的硅基体放入刻蚀清洗机中,去除背面的硼扩散层和正面的硼硅玻璃层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的