[发明专利]掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法有效
申请号: | 201610155212.6 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN107200356B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 周振平;叶航;肖琳 | 申请(专利权)人: | 纳琳威纳米科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C01G41/02 | 分类号: | C01G41/02 |
代理公司: | 31266 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高一平;徐迅 |
地址: | 200433 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化钨 红外 反射 体制 方法 | ||
本发明涉及近红外高反射粉体,尤其涉及氧化钨近红外高反射粉体制备方法。一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,它包括下列步骤:步骤一,分别溶解铋盐和钨盐;且钨盐通过离子交换树脂配置成钨酸溶液;步骤二,将钨酸和铋盐按照重量比1:0.01‑0.1投入反应溶剂内进行超声混合1‑3小时,得到水热反应前驱液;步骤三,调节前驱液的pH值4‑6;步骤四,将调节好pH值的前驱液投入带有搅拌的密闭水热反应釜内,在120℃‑250℃下持续反应5‑20小时;步骤五,将步骤四反应的沉淀物反复洗涤、干燥粉碎后煅烧即得到所述的掺铋的氧化钨近红外高反射粉体。本发明制备的粉体颗粒尺寸均匀,不易聚团,成本低。
技术领域
本发明涉及近红外高反射粉体,尤其涉及氧化钨近红外高反射粉体制备方法。
背景技术
氧化钨(WO3)是一种功能材料,在光致变色和气致变色方便有广泛的的研究。它在光催化、气体传感器领域有着广泛的应用。通过对掺杂铋的氧化钨材料的研究发现,该材料对近红外的反射率达95%以上。但是目前,该材料在生产的生产方法存在着不适合工业化生产的问题,且制备的粉末存在颗粒大小不均匀,容易聚团,成本高。
发明内容
本发明旨在克服现有技术的缺陷,提供一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法。本发明制备的粉体颗粒尺寸均匀,不易聚团,成本低。
本发明一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,它包括下列步骤:
步骤一,分别溶解铋盐和钨盐;且钨盐通过离子交换树脂配置成钨酸溶液;
步骤二,将钨酸和铋盐按照重量比1:0.01-0.1投入反应溶剂内进行超声混合1-3小时,得到水热反应前驱液;
步骤三,调节前驱液的pH值4-6;
步骤四,将调节好pH值的前驱液投入带有搅拌的密闭水热反应釜内,在120℃-250℃下持续反应5-20小时;
步骤五,将步骤四反应的沉淀物反复洗涤、干燥粉碎后煅烧即得到所述的掺铋的氧化钨近红外高反射粉体。
所述的一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,所述步骤一中的铋盐包括氯化铋、硝酸铋或硫酸铋中的一种或几种,所述钨盐包括钨酸钾、钨酸铵或钨酸钠中的一种或几种。
所述的一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,所述步骤二的溶剂包括:去离子水或无水乙醇。
所述的一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,所述步骤三是通过稀盐酸、稀硝酸或乙酸调节pH值的。
所述的一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,所述步骤五中是采用去离子水或无水乙醇进行洗涤的。
所述的一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,所述步骤五中干燥的温度是90℃-150℃,干燥时间为6-24小时。
所述的一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,所述步骤五所述粉碎中,粉碎机转速2000rpm-15000rpm,粉碎时间5-30分钟。
所述的一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,所述步骤五的煅烧是在300℃-750℃下进行的,煅烧时间3-10h。
所述的一种掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法,所述步骤五中煅烧是在氩气或氦气的气氛中进行的。。
本发明的方法,适合大规模工业生产,所得到的粉体颗粒小,颗粒尺寸分布窄,不易聚团,稳定性好,对近红外的阻隔效率达到了95%,。本发明的制备方法工艺简单,设备简单。
附图说明
图1是本发明的钨酸铋粉体制成的薄膜的反射率示意图。
具体实施方式
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