[发明专利]S波段3路径向功率合成器

说明书

技术领域

本发明涉及一种3路径向高功率合成器，属于微波馈线领域。

背景技术

现代雷达的发展，大功率合成(分配)器被广泛应用。对于多通道的T/R 通道的雷达系统，如果要对其每个通道进行定标测试，需要有多通道的定标网络， 而当T/R组件通道数很多且全部发射同时工作时，定标网络的输出功率能够达到 几十甚至上百瓦的输出功率，这就要求定标网络中功率合成器的耐功率足够大。 而雷达固态发射机设计中，为了得到较高的输出功率，也需要用到频响较好的大 功率合成器。

常用隔离的功率合成器有Wilkinson功率合成器，N路径向功率合成器，电 桥，魔T等，Wilkinson功率合成器和传统N路径向功率合成器的隔离电阻均跨 接在分臂之间，电阻的尺寸以及对地寄生参量对功率合成器的性能有很大影响， 这和隔离电阻的耐功率是一对矛盾，因此耐功率无法做高。电桥，魔T在边频存 在色散，在用作功率合成时影响合成效率，因此传统的设计方法在工程应用上多 少存在一定的缺陷。

发明内容

本发明要解决的问题是：常用隔离的功率合成器有Wilkinson功率合成器， N路径向功率合成器，电桥，魔T等，Wilkinson功率合成器和传统N路径向功 率合成器的隔离电阻均跨接在分臂之间，电阻的尺寸以及对地寄生参量对功率合 成器的性能有很大影响，这和隔离电阻的耐功率是一对矛盾，因此耐功率无法做 高。电桥，魔T在边频存在色散，在用作功率合成时影响合成效率，因此传统的 设计方法在工程应用上多少存在一定的缺陷。

为了解决以上问题，本发明提供了一种技术方案是：S波段3路径向功率合成器，包括基板以及设置在基板上的电路单元，所述电路单元包括三段外围的二分之一波长阻抗线、六段外围的四分之一波长阻抗线、三段内置的四分之一波长阻抗线、六段50Ω隔离端引线和三段50Ω输入端引线，每两段外围的四分之一波长阻抗线的端部相连且形成“V”型的波长阻抗线，因此，所述六段外围的四分之一波长阻抗线共形成三段“V”型的波长阻抗线，所述三段“V”型的波长阻抗线与三段外围的二分之一波长阻抗线间隔设置且头尾串接而成一个封闭的阻抗线圈，从阻抗线圈的六个串接端引出所述六段50Ω隔离端引线，所述六段50Ω隔离端引线用于连接隔离电阻，所述三段内置的四分之一波长阻抗线的一端头连接而成公共输出端，另外三端头分别与三段“V”型的波长阻抗线的中点连接且引出50Ω输入端引线，其中，每段内置的四分之一波长阻抗线的阻抗值为每段外围的四分之一波长阻抗线的阻抗值为每段外围的二分之一波长阻抗线的阻抗值为Z₀为输入阻抗。

进一步地，所述三段外围的二分之一波长阻抗线呈脉冲波型，所述三段“V” 型的波长阻抗线的夹角为120度。

进一步地，所述基板的介电常数2.94，厚度1mm，所述电路单元采用厚度 0.0175mm的铜箔。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：隔离电阻位置和尺寸可调，以保证 考虑高功率信号合成时，隔离电阻耐功率设计与隔离电阻尺寸无关，不影响合成 器的电性能，同时确保合成器各端口的幅度和相位一致，边频无色散现象。

附图说明

图1为本发明的原理结构图。

具体实施方式

根据具体实施方式，并结合附图，对本发明的技术方案进行说明；