[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体而言涉及一种阵列基板以及具 有该阵列基板的液晶显示面板、液晶显示装置。

背景技术

随着液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)尺寸和清晰度的增 加，具有BCE(BackChannelEtching,背沟道刻蚀)结构的薄膜晶体管 (ThinFilmTransistor,TFT)已崭露头角并表现出巨大的市场应用前景。 如图1所示，该结构的薄膜晶体管10包括依次形成于衬底基材11上的 栅极12、栅极绝缘层(GateInsulationLayer,GI)13、主动层14、源极 15和漏极16。其中，主动层14上形成有薄膜晶体管10的沟道P，沟道 P的宽度c小于栅极12的宽度a以及主动层14的宽度b，栅极12的宽 度a大于主动层14的宽度b，从而使得在对栅极12施加电压时主动层 14能够提供足够浓度的载子以实现源极15和漏极16之间的导通，并且 在薄膜晶体管10关闭时防止背光模组的背光照射主动层14时产生漏 电。但是在该结构设计中，源极15和漏极16与栅极12的重叠区域较 大所形成的寄生电容也较大，从而使得液晶显示器的像素电极在薄膜晶 体管10开关时的电压变化较大，影响显示品质。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置， 能够缩小源极和漏极与栅极之间的寄生电容，提升显示品质。

本发明提供的一种阵列基板，包括：衬底基材；栅极，形成于衬底 基材上；栅极绝缘层，形成于衬底基材上并覆盖栅极；主动层，形成于 栅极绝缘层上且位于栅极的上方，主动层背向栅极的一侧形成有沟道， 其中主动层在衬底基材上的正投影覆盖栅极及其两侧的衬底基材，且沟 道在衬底基材上的正投影位于栅极所在区域之内；源极和漏极，形成于 主动层上且分别位于主动层的两端。

其中，主动层包括依次形成于栅极绝缘层上的多晶硅半导体层、欧 姆接触层，多晶硅半导体层背向栅极的一侧形成有沟道，欧姆接触层形 成有位于沟道上方且与沟道相通的狭缝。

其中，源极在衬底基材上的正投影与栅极部分重叠，漏极在衬底基 材上的正投影与栅极无重叠。

其中，漏极在衬底基材上的正投影与栅极部分重叠，源极在衬底基 材上的正投影与栅极无重叠。

其中，源极和漏极在衬底基材上的正投影与栅极无重叠。

其中，阵列基板还包括：平坦钝化层，形成于源极、漏极以及主动 层上，平坦钝化层形成有暴露漏极的表面的接触孔；像素电极，形成于 平坦钝化层上以及接触孔内，像素电极通过接触孔与漏极电连接。

其中，阵列基板还包括：平坦钝化层，形成于源极、漏极以及主动 层上，平坦钝化层形成有暴露漏极的表面的接触孔；公共电极，形成于 平坦钝化层上；绝缘层，形成于公共电极上；像素电极，形成于绝缘层 和平坦钝化层上以及接触孔内，像素电极通过接触孔与漏极电连接。

其中，阵列基板还包括：保护层，形成于主动层的沟道上，保护层 的表面包括Al₂O₃层，Al₂O₃层由采用磁控溅射法形成的Al层在氧气浓 度高于21％的氛围中以300～400℃的温度进行热退火处理制得。

本发明提供的一种液晶显示面板，包括相对间隔设置的第一基板和 第二基板，以及填充于第一基板和第二基板之间的液晶，其中，第一基 板和第二基板中的一者包括上述阵列基板。

本发明提供的一种液晶显示装置，包括液晶显示面板以及为液晶显 示面板提供光线的背光模组，液晶显示面板包括上述液晶显示面板。

本发明实施例的阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置，设计薄 膜晶体管的主动层在衬底基材上的正投影覆盖栅极及其两侧的衬底基 材，且薄膜晶体管的沟道在衬底基材上的正投影位于栅极所在区域之 内，即设计栅极的宽度小于主动层的宽度且大于沟道的宽度，通过缩短 栅极的宽度，减小源极和漏极与栅极的重叠区域，从而缩小源极和漏极 与栅极之间的寄生电容，提升显示品质。

附图说明

图1是现有技术一实施例的薄膜晶体管的结构剖视图；

图2是本发明一实施例的阵列基板的结构剖视图；

图3是本发明另一实施例的阵列基板的结构剖视图；