[发明专利]景区道路红外探测延迟半亮全亮路灯在审
申请号: | 201610121879.4 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN105554969A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 吴建堂 | 申请(专利权)人: | 吴建堂 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌埠市龙*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 景区 道路 红外 探测 延迟 半亮全亮 路灯 | ||
技术领域
本发明属于电子控制技术与节能技术领域,是关于一种景区道路红外探测 延迟半亮全亮路灯。
背景技术
现在很多公园、游园、江河湖畔景观区域等公共场所的道路都安装了各种 照明路灯,以方便游人、行人游玩或观赏。每到夜晚这些公共场所的照明路灯 全部开启,在游人如织的时侯确实很方便,但到了夜深人静游人稀少或极少有 游人光顾时,又不可能将照明路灯全部关闭,各种照明路灯多数都是通宵达旦 的整夜工作着,这就造成能源的很大浪费。
为克服公园、游园、江河湖畔景观区域等公共场所普通路灯存在浪费能源 的问题,本发明采用热释电红外探头并对红外探头接收到的微弱信号加以放大, 然后驱动路灯。本发明经过多种方案试验、比较和分析,电路具有简捷、免调 试特点,仅使用少量常见元器件实现了预期目的。做到行人接近时自动点亮路 灯,行人远离路灯一段距离后,路灯由全亮延时一段后逐渐转为半亮状态。它 与一般延时灯工作原理有着很大不同,不会出现行人没有离开延时灯时间一到, 路灯立刻熄灭的尴尬现象,它可有效的节约电力资源。
以下详细说明本发明所述的景区道路红外探测延迟半亮全亮路灯在实施过 程中所涉及必要的、关键性技术内容。
发明内容
发明目的及有益效果:为克服公园、游园、江河湖畔景观区域等公共场所 普通路灯存在浪费能源的问题,本发明采用热释电红外探头并对红外探头接收 到的微弱信号加以放大,然后驱动路灯。本发明经过多种方案试验、比较和分 析,电路具有简捷、免调试特点,仅使用少量常见元器件实现了预期目的。做 到行人接近时自动点亮路灯,行人远离路灯一段距离后,路灯由全亮延时一段 后逐渐转为半亮状态。它与一般延时灯工作原理有着很大不同,不会出现行人 没有离开延时灯时间一到,路灯立刻熄灭的尴尬现象,它可有效的节约电力资 源。
电路工作原理:景区道路红外探测延迟半亮全亮路灯的电路采用热释电红 外探头LN074B,当热释电红外探头IC1接收到行人释放的热释电红外信号后, 由热释电红外控头IC1内部转换成一个频率约为0.3~3Hz微弱的低频信号,低 频信号经NPN型晶体管VT1放大后输入运算放大器IC2组成的电压比较器。
运算放大器IC2外围电路中的电位器RP用来调节红外探头电路灵敏度,可 用于调整热释电红外探头IC1探测行人接近路灯的距离。平时运算放大器IC2 的第2脚电压略高于运算放大器IC2的第3脚输入电压,运算放大器IC2输出 低电平;当有行人进入热释电红外探头IC1探测范围时,热释电红外控头IC1 输出一定电压,该电压经NPN型晶体管VT1放大和运算放大器IC2组成电压比 较器使信号输出电压高于参考电压,这时运算放大器IC2的第6脚输出高电平, 使增强型N沟道场效应管VT2的导通,发光二极管LED1~LED9处于全亮状态。 由于增强型N沟道场效应管VT2的栅极接有电解电容C3,使高电平的电压只能 缓慢下降,电解电容C3经过一段时间放电,发光二极管LED1~LED9表现为由 全亮状态逐渐变为半亮状态。
因增强型N沟道场效应管VT1的栅极接有电阻R3,即便运算放大器IC2的 第6脚输出低电平(行人远离路灯时)时,致使增强型N沟道场效应管VT1不 完全截止,使发光二极管LED1~LED9维持半亮状态。
为了使红外信号放大电路稳定工作,在NPN型晶体管VT1放大电路中增加 电阻R1和电容C2组成的负反馈电路。
技术方案:景区道路红外探测延迟半亮全亮路灯,它包括9V直流电源、热 释电红外探头及红外信号放大电路、电压比较电路、电平功率放大延迟及发光 二极管驱动电路,其特征在于:
热释电红外探头及红外信号放大电路:它由热释电红外探头IC1、电解电容 C1、NPN型晶体管VT1、电阻R2组成,热释电红外探头IC1选用的型号为LN074B, 热释电红外探头IC1的红色线接电路正极VCC,热释电红外探头IC1的黑色线接 电路地GND,热释电红外探头IC1的输出端S接电解电容C1的正极,电解电容 C1的负极接NPN型晶体管VT1的基极,NPN型晶体管VT1的集电极通过电阻R2 接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND;
负反馈电路:电阻R1的一端和电容C2的一端接NPN型晶体管VT1的基极, 电阻R1的另一端和电容C2的另一端接NPN型晶体管VT1的集电极;
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