[发明专利]一种电流偏置电路

权利要求书

1.一种电流偏置电路，其特征在于，包括偏置电流产生电路和电流补偿电路，所述偏置电流产生电路包括内置电阻，所述偏置电流产生电路在所述内置电阻上产生具有第一温度系数的第一电流，所述电流补偿电路适于产生具有第二温度系数的第二电流，所述第二温度系数与所述第一温度系数相反，所述第二电流用于补偿所述第一电流以得到偏置电流；

所述电流补偿电路包括：第一比例电流获取电路、第二比例电流获取电路、相反温度系数引入电路和温度系数组合电路；

所述第一比例电流获取电路与所述偏置电流产生电路耦接，适于生成与所述第一电流成比例的第一镜像电流；

所述第二比例电流获取电路与所述偏置电流产生电路耦接，适于生成与所述第一电流成比例的第二镜像电流；

所述相反温度系数引入电路适于基于所述第一镜像电流向所述温度系数组合电路提供电压，所述电压的电压值的温度系数与所述第一电流的温度系数相反；

所述温度系数组合电路适于基于所述相反温度系数引入电路输出的电压产生所述第二电流，并将所述第二镜像电流和所述第二电流线性叠加以得到所述偏置电流；

所述温度系数组合电路包括电流镜、第一NMOS管和第二NMOS管；

所述第一NMOS管的栅极接收所述相反温度系数引入电路输出的电压，所述第一NMOS管的源极接地；

所述电流镜的输入端耦接所述第一NMOS管的漏极，所述电流镜的输出端输出所述第二电流；

所述第二NMOS管的漏极耦接所述电流镜的输出端，所述第二NMOS管的栅极与漏极耦接，所述第二NMOS管的源极接地。

2.根据权利要求1所述的电流偏置电路，其特征在于，所述第一比例电流获取电路包括第一PMOS管；

所述第一PMOS管的源极耦接电源，栅极与所述偏置电流产生电路耦接，漏极与所述相反温度系数引入电路耦接。

3.根据权利要求1所述的电流偏置电路，其特征在于，所述第二比例电流获取电路包括第二PMOS管；

所述第二PMOS管的源极耦接电源，栅极耦接至所述偏置电流产生电路，漏极作为所述第二比例电流获取电路的输出端，并与所述温度系数组合电路耦接。

4.根据权利要求1所述的电流偏置电路，其特征在于，所述相反温度系数引入电路包括：PNP管和第一电阻；

所述PNP管的发射极与所述第一比例电流获取电路的输出端耦接，基极与集电极耦接，集电极与所述第一电阻的第一端耦接；

所述第一电阻的第二端接地。

5.根据权利要求1所述的电流偏置电路，其特征在于，所述电流镜包括：第三PMOS管和第四PMOS管；

所述第三PMOS管的源极耦接电源，栅极与漏极耦接，漏极作为所述电流镜的输入端；

所述第四PMOS管源极耦接电源，栅极与所述第三PMOS管的栅极耦接，漏极与所述第二比例电流获取电路的输出端耦接。

6.根据权利要求1所述的电流偏置电路，其特征在于，所述偏置电流产生电路包括：放大器、内置电阻和第五PMOS管；

所述放大器的反相输入端接收基准电压信号，正相输入端与所述第五

PMOS管的漏极耦接，输出端与所述第五PMOS管的栅极耦接；

所述第五PMOS管的源极耦接电源，漏极与所述内置电阻的第一端耦接；

所述内置电阻的第二端接地。