[发明专利]多晶硅碎料平台及碎料方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种多晶硅的碎料方法，尤其涉及一种在工作台上进行多晶硅碎料的方法及进行碎料的碎料平台。

背景技术

还原炉中生长完成的多晶硅棒需要破碎为碎料或者棒料，然后进入后加工。一般为直接用碳化钨锤子打碎的方法，但是工作人员的负荷较大，而且在破碎成棒料的时候，破碎位置较难控制，不容易获得期望长度的完整棒料。

另外，在人工破碎、分选、称重、封口过程中，不可避免的对多晶硅料表面造成二次污染，带进别的杂质导致质量受到影响。对后续下游拉单晶或铸锭的造成干扰，严重影响成品率，造成产品损失。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种更容易控制的多晶硅碎料平台及使用该多晶硅碎料平台的碎料方法。

一种多晶硅碎料平台，用于破碎多晶硅棒料，包括多级分布的V形槽，该多级分布的V形槽按照预定间距沿多晶硅棒料长度方向依次排布并承载夹持多晶硅棒料。

一种多晶硅棒料的碎料方法，采用包括如下步骤：

提供一种多晶硅碎料平台，该多晶硅碎料平台包括多级分布的V形槽；

准备步骤：根据多晶硅棒料的尺寸选定V形槽并按照预定间距依次设置，然后将多晶硅棒料放置在多晶硅碎料平台上；

破碎步骤：用破碎锤在相邻两个V形槽之间的位置逐段敲击多晶硅棒料，将多晶硅棒料分段破碎；

包装步骤：将破碎后的合格碎料包装。

本发明的多晶硅碎料平台及碎料方法，采用多级V形槽结构，破碎时可以分段碎料，破碎更为均匀，容易控制尺寸，操作方便，而且本发明的破碎方法可以有效地减少多晶硅棒料碎料过程中的污染。

附图说明

图1为本发明的多晶硅碎料平台示意图。

图2为图1所示的多晶硅碎料平台的V形槽示意图。

具体实施方式

下面结合图1及图2对本发明的多晶硅碎料平台及碎料方法进行详细说明。

请参见图1，本发明的多晶硅碎料平台包括多级分布的V形槽，本实施方式中，包括五级V形槽：第一V形槽20、第二V形槽22、第三V形槽24、第四V形槽26和第五V形槽28，五个V形槽形状相同，沿着多晶硅棒料的长度方向依次排布。相邻V形槽的间距为200到300毫米。间距可以根据多晶硅棒料尺寸和碎料要求等实际情况调整，当然，根据多晶硅棒料的长度，V形槽的个数可以适当增减，个数至少为两个。

请同时参见图2，V形槽整体高度为200毫米，每个V形槽包括用于卡放棒料的槽部201和位于槽部201下方的基部203，其中槽部201呈V形，顶角为120度左右，对于直径为130到180毫米的棒料，可以稳定夹持。基部203在棒料径向的宽度为300毫米，在沿着多晶硅棒料长度方向上基部203的底部有加厚，成为一个底座，方便V形槽稳定放置。V形槽采用碳化钨材料制造，质地较硬，不易对多晶硅棒料造成材料污染。

使用上述多晶硅碎料平台的多晶硅的碎料方法包括如下步骤：

准备步骤：根据多晶硅棒料的尺寸选定V形槽并按照预定间距依次设置，然后将多晶硅棒料放置在多晶硅碎料平台上。

破碎步骤：用破碎锤在相邻两个V形槽之间的位置逐段敲击多晶硅棒料，由于多级V形槽的存在，多晶硅棒料将会主要沿径向碎裂，在两个相邻V形槽之间分段破碎，碎料更为均匀，更好符合碎料的规定尺寸。

包装步骤：将破碎后的合格碎料采用手提式包装袋包装。本实施方式中，包装为大小袋结合的双层结构，小袋为内层，大袋为外层，两层之间充满氩气，减少包装运输过程中的污染，保证纯度。

本发明的多晶硅碎料平台及碎料方法，采用多级V形槽结构，破碎时可以分段碎料，破碎更为均匀，容易控制尺寸，操作方便，而且本发明的破碎方法可以有效地减少多晶硅棒料碎料过程中的污染。

综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，不应以此限制本发明的范围。即凡是依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。