[发明专利]一种有机电致发光器件

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，其特征在于，所述阳极为修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层的物质为如式(1)所示的化合物，

式中，n＝4、6、8或10；

所述修饰层为所述氧化铟锡阳极先进行乙二胺预处理，再浸入全氟脂肪酸中进行自组装形成。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述修饰层为如式(1)所示的化合物形成的一层单分子薄膜。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70～200nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

5.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，当所述功能层为多层时，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极按顺序依次设置在修饰氧化铟锡阳极的ITO薄膜表面。

6.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质可以为酞菁锌(ZnPc)，酞菁铜(CuPc)，酞菁氧钒(VOPc)，酞菁氧钛(TiOPc)，酞菁铂(PtPc)或4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，空穴注入层的厚度为10～40nm。

7.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的空穴传输材料可以为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)，N，N，N′，N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)；2，7-双(N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9-螺二芴(MeO-Sprio-TPD)，N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(NPB)，1，1-二(4-(N，N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)或2，2′，7，7′-四(N，N-二苯胺基)-9，9′-螺二芴(S-TAD)，空穴传输层的厚度为20～40nm。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为发光材料掺杂空穴传输材料或电子传输材料形成的混合材料，所述发光层的材质也可单独采用发光材料。

9.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的电子传输材料可以为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)，(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)，4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)，1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)，1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N₁，O₈)-(1，1′-联苯-4-羟基)铝(BAlq)，电子传输层的厚度为30～60nm。

10.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材质可以为LiF，CsF或NaF，厚度为1nm。