[发明专利]3D AMR沟槽填充工艺方法在审
| 申请号： | 201610086784.3 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105720190A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王辉;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | amr 沟槽 填充 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.3DAMR沟槽填充工艺方法，其特征在于，步骤包括：
1)在晶圆表面形成沟槽和磁阻薄膜；
2)在沟槽底部填充的底层膜质材料；
3)在步骤2)填充的底层膜质材料基础上，再填充的底层膜质材料；
4)在步骤3)填充的底层膜质材料上分三次填充有机填充材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)所述底层膜质材料的厚度为
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)填充的底层膜质材料的厚度大于 等于步骤2)中填充的底层膜质材料的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，每次填充的有机填充材料的厚 度为
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层膜质材料包括底部抗反射层有机 材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机填充材料包括光刻胶材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610086784.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
