[发明专利]基于光子晶体T型波导的横向输出磁光调制器有效
申请号: | 201610086345.2 | 申请日: | 2016-02-15 |
公开(公告)号: | CN105607305B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 欧阳征标;吴昌义;金鑫 | 申请(专利权)人: | 欧阳征标 |
主分类号: | G02F1/095 | 分类号: | G02F1/095;G02B6/122 |
代理公司: | 深圳力拓知识产权代理有限公司 44313 | 代理人: | 龚健 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 光子 晶体 波导 横向 输出 调制器 | ||
本发明公开了一种基于光子晶体T型波导的横向输出磁光调制器,包括一个具有TE禁带的光子晶体T型波导;调制器还包括一个输入端(1)、两个输出端(2、3)、背景硅介质柱(4)、等腰直角三角形缺陷介质柱(5)和缺陷介质柱(6),调制器还包括一个提供偏置磁场的电磁铁(7),一个调制电流源(9)和一个调制信号(10);光子晶体T型波导的左端为输入端(1),输出端(2、3)分别位于光子晶体T型波导的下端、上端,呈一条横线布局;缺陷介质柱(6)位于T型波导中心交叉处;4个等腰直角三角形缺陷介质柱(5)分别位于T型波导交叉的四个拐角处;光子晶体波导由端口(1)输入TE载波光,再从端口(2)输出调幅光。本发明可以高效实现TE载波光波信号调制器。
技术领域
本发明涉及一种调制器,更具体地说,尤其涉及一种基于光子晶体T型波导的横向输出磁光调制器。
背景技术
传统的光学调制器一般利用晶体的电光效应来实现对光的调制,需要有一个微波调制信号,一块电光晶体,一个干涉结构,如马赫-曾德干涉结构等。由于电光晶体的电光系数的限制,需要采用几何尺寸比较长的电光晶体,这样使得光学调制器的体积较大,只能用在传统光学器件中,无法集成到光学芯片中。光调制器是在整体光通信的光发射、传输、接收过程中用于控制光强度的关键器件,也是最重要的集成光学器件之一。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足,提供一种结构体积小,高效短程便于集成的光子晶体T型波导的横向输出磁光调制器。
本发明的目的通过下述技术方案予以实现。
本发明的基于光子晶体T型波导的横向输出磁光调制器,包括一个具有TE 禁带的光子晶体T型波导;所述调制器还包括一个输入端1、两个输出端2和3、背景硅介质柱4、等腰直角三角形缺陷介质柱5和缺陷介质柱6,所述调制器还包括一个提供偏置磁场的电磁铁7,一个调制电流源9和一个调制信号10;所述光子晶体T型波导的左端为输入端1,所述两个输出端2、3分别位于光子晶体T型波导的下端、上端,呈一条横线布局;所述缺陷介质柱6位于T型波导中心交叉处;所述4个等腰直角三角形缺陷介质柱5分别位于T型波导交叉的四个拐角处;所述光子晶体波导由端口1输入TE载波光,再从端口2输出调幅光。
所述调制器进一步包括导线8,所述电磁铁7的一端与调制电流源9的负极相连接,电磁铁7的另一端通过导线8与调制电流源9的正极相连接。所述调制电流源9与调制信号10相连接。
所述光子晶体为二维正方晶格光子晶体。
所述光子晶体由高折射率介质材料和低折射率材料组成;所述高折射率介质材料为硅或折射率大于2的介质;所述低折射率介质为空气或折射率小于1.4 的介质。
所述T型波导为光子晶体中移除中间一横排和一竖排介质柱后的结构。
所述T型波导交叉拐角处的4个背景介质柱各删除一个角以形成等腰直角三角形缺陷介质柱,该等腰直角三角形缺陷介质柱(5)为三角柱型。
所述背景硅介质柱4的形状为正方形。
所述光子晶体正方形硅介质柱以介质柱轴线z轴方向逆时针旋转41度。
所述缺陷介质柱6为铁氧体方柱,其形状为正方形,该铁氧体为磁各向异性材料,所述的铁氧体方柱的磁导率为各向异性,且受偏置磁场的控制,偏置磁场方向沿着铁氧体方柱的轴线方向。
所述端口2为调幅波输出端口。
本发明与现有技术相比具有以下的优点:
(1)结构体积小,时间响应快,光传输效率高,适合大规模光路集成;
(2)便于集成,可以短程高效地实现TE载波光波信号调制器,具有极大的实用价值;
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