[发明专利]一种自组装双层氨基酸膜电极及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种自组装双层氨基酸膜电极，该电极以铜电极为基底，依次覆盖有L-半胱氨酸层（L-Cys）和L-天冬氨酸层(L-Asp)；

所述电极的制备方法包括如下步骤：

（1）铜电极的预处理

将铜电极打磨至光亮后，以去离子水清洗，在酸中浸泡，再依次用无水乙醇和去离子水清洗，得到预处理后的铜电极；

（2）L-半胱氨酸自组装膜电极（L-Cys/Cu）的制备

将步骤（1）制备得到的预处理后的铜电极放入1ⅹ10^-5 mol/L ，pH为7的L-半胱氨酸水溶液中浸泡0.5-24小时，即得L-半胱氨酸自组装膜电极；

（3）L-天冬氨酸/ L-半胱氨酸自组装膜电极（L-Asp/L-Cys/Cu）的制备

将步骤（2）制备得到的L-半胱氨酸自组装膜电极，清洗，晾干，放入1ⅹ10^-3 mol/L -1ⅹ10^-6mol/L，pH为4.0-7.0天冬氨酸水溶液中浸泡1-24小时，即得L-天冬氨酸/ L-半胱氨酸自组装膜电极。

2.一种如权利要求1所述的自组装双层氨基酸膜电极的制备方法，该制备方法包括如下步骤：

（1）铜电极的预处理

将铜电极打磨至光亮后，以去离子水清洗，在酸中浸泡，再依次用无水乙醇和去离子水清洗，得到预处理后的铜电极；

（2）L-半胱氨酸自组装膜电极（L-Cys/Cu）的制备

将步骤（1）制备得到的预处理后的铜电极放入1ⅹ10^-5 mol/L ，pH为7的L-半胱氨酸水溶液中浸泡0.5-24小时，即得L-半胱氨酸自组装膜电极；

（3）L-天冬氨酸/ L-半胱氨酸自组装膜电极（L-Asp/L-Cys/Cu）的制备

将步骤（2）制备得到的L-半胱氨酸自组装膜电极，清洗，晾干，放入1ⅹ10^-3 mol/L -1ⅹ10^-6mol/L，pH为4.0-7.0天冬氨酸水溶液中浸泡1-24小时，即得L-天冬氨酸/ L-半胱氨酸自组装膜电极。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述酸为无机酸，选自盐酸、硫酸、硝酸、高氯酸。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述酸为硝酸。

5.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在步骤（1）中，在所述酸中浸泡的时间为5秒-30秒。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤（1）中，在所述酸中浸泡的时间为10秒。

7.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在步骤（2）中，所述L-半胱氨酸水溶液的浓度为1×10^-3mol/L。

8.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在步骤（2）中，在所述L-半胱氨酸水溶液中浸泡的时间为2-3小时。

9.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在步骤（3）中，在所述L-天冬氨酸水溶液中浸泡的时间为1小时。

10.权利要求1所述的自组装双层氨基酸膜电极在对苯二酚降解中的应用。

11.权利要求10所述的应用，其中应用时，使用pH为5.5-7的PBS缓冲溶液作为底液。

12.权利要求11所述的应用，其中应用时，使用pH为5.5或7的PBS缓冲溶液作为底液。