[发明专利]能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构有效
| 申请号： | 201610071720.6 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105552191B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;李俊贤;吴奇隆;魏振东;刘英策;李小平;邬新根;黄新茂;蔡立鹤;吕奇孟;陈凯轩;张永;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增进 横向 电流 扩散 拥有 反射 表面 led 芯片 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，其特征在于：包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。
2.根据权利要求1所述LED芯片电极结构，其特征在于：所述TiN/Pt层为两对。
3.根据权利要求1或2所述LED芯片电极结构，其特征在于：所述Cr层的厚度为10～50埃。
4.根据权利要求1或2所述LED芯片电极结构，其特征在于：所述第一Al层的厚度为1000～5000埃。
5.根据权利要求1或2所述LED芯片电极结构，其特征在于：所述每对TiN/Pt层中，TiN的厚度为500～2000埃，Pt的厚度为500～2000埃。
6.根据权利要求1或2所述LED芯片电极结构，其特征在于：所述Au层的厚度为5000～20000埃。
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