[发明专利]固态硬盘控制电路在审
申请号: | 201610065328.0 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN107025941A | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 陈彦仲;陈政宇;陈双喜 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C29/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 梁丽超,刘冀 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 硬盘 控制电路 | ||
1.一种用于一固态硬盘装置(100)中的固态硬盘控制电路(140),其中,该固态硬盘装置(100)包含一固态硬盘(110)以及一通信接口(120),该固态硬盘控制电路(140)包含:
一读写电路(141),用于耦接该固态硬盘(110);以及
一闪存控制电路(143),耦接于该读写电路(141)并用于耦接该通信接口(120),且设置成进行以下运作:
(A1)通过该读写电路(141)读取该固态硬盘(110)的一第一数据区块(111)中的数据,并对读出的数据进行错误检查与校正;
(B1)若发现从该第一数据区块(111)读出的数据具有无法校正的错误,则搬移该第一数据区块(111)中的数据;
(C1)通过该读写电路(141)抹除该第一数据区块(111);
(D1)通过该读写电路(141)将测试数据写入该第一数据区块(111);
(E1)等待一预定时间后,通过该读写电路(141)读取该第一数据区块(111)中的测试数据,并对读出的数据进行错误检查与校正;
(F1)记录该第一数据区块(111)的数据错误次数;以及
(G1)根据该第一数据区块(111)的数据错误次数,判断该第一数据区块(111)的可再使用性。
2.如权利要求1所述的固态硬盘控制电路(140),其中,该闪存控制电路(143)在进行流程(G1)前,要至少重复进行流程(C1)至(F1)达一预定次数。
3.如权利要求2所述的固态硬盘控制电路(140),其中,该预定次数为三次。
4.如权利要求2所述的固态硬盘控制电路(140),其中,该预定次数是依据该第一数据区块(111)的抹除次数而决定。
5.如权利要求1所述的固态硬盘控制电路(140),其中,该闪存控制电路(143)在流程(D1)中是通过该读写电路(141),以一第一写入模式将测试数据写入该第一数据区块(111),且该第一写入模式与流程(A1)中所读取的数据的写入模式相同。
6.如权利要求5所述的固态硬盘控制电路(140),其中,该闪存控制电路(143)另设置成进行以下运作:
(A2)通过该读写电路(141)读取该固态硬盘(110)的一第二数据区块(113)中的数据,并对读出的数据进行错误检查与校正;
(B2)若发现从该第二数据区块(113)读出的数据具有无法校正的错误,则搬移该第二数据区块(113)中的数据;
(C2)通过该读写电路(141)抹除该第二数据区块(113);
(D2)通过该读写电路(141)以一第二写入模式将测试数据写入该第二数据区块(113);
(E2)等待该预定时间后,通过该读写电路(141)读取该第二数据区块(113)中的测试数据,并对读出的数据进行错误检查与校正;
(F2)记录该第二数据区块(113)的数据错误次数;以及
(G2)根据该第二数据区块(113)的数据错误次数,判断该第二数据区块(113)的可再使用性;
其中,该第二写入模式与流程(A2)中所读取的数据的写入模式相同,但与该第一写入模式不同。
7.如权利要求1所述的固态硬盘控制电路(140),其中,流程(E1)中的该预定时间长度至少为一分钟。
8.如权利要求1所述的固态硬盘控制电路(140),其中,流程(E1)中的该预定时间长度是依据温度或该第一数据区块(111)的抹除次数动态地被设置。
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